Indiumphosphid (InP) Wafer ist ein hochmobiler, direkter Bandlücke (1,34 eV) III-V-Verbindungshalbleiter. Optimiert für Hochfrequenz-RF (bis THz), 1,3–1,55μm optische Kommunikation und rauscharme photonische integrierte Schaltkreise (PICs). Mit flachen EPD- und epi-fähigen Oberflächenoberflächen.

Galliumarsenid (GaAs) kombiniert eine direkte Bandlücke mit hoher Elektronenmobilität und ist damit ein weit verbreitetes Substratmaterial für Hochfrequenz- und optoelektronische Bauelemente. Die GaAs-Wafer von PWG unterstützen MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, Laserdioden und hocheffiziente Solarzellen, die in mehreren Durchmessern, Kristallorientierungen und Epi-kompatiblen Oberflächenoberflächen erhältlich sind.

Die Power Wafertech Group liefert Indiumarsenid-(InAs)-Substratwafer für Infrarotdetektion, Hochmobilelektronik und fortschrittliche III-V-Halbleiterforschung. Verfügbare Optionen umfassen N-Typ und P-Typ InAs, mit ausgewählten Waferdurchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen für die Bauteilfertigung und epitaxisches Wachstum.

Mit einer Gitterkonstante von etwa 6,096 Å bietet GaSb (Galliumantimonid) eine ausgezeichnete Gitterkompatibilität mit antimonidbasierten Materialien wie InAs, AlSb und InAsSb und ist damit eine wichtige Substratplattform für Typ-II-Supergitter-(T2SL)-Infrarotdetektoren, Mid-IR-Laser und fortschrittliche optoelektronische Bauelemente. GaSb-Wafer sind in mehreren Durchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen für epitaxisches Wachstum und Gerätefertigung erhältlich.

Mit einer ultraschmalen direkten Bandlücke von etwa 0,17 eV bei 300 K und außergewöhnlich hoher Elektronenbeweglichkeit eignet sich InSb besonders gut für die Erkennung von Infrarot mittelwelliger Länge (MWIR) im Bereich von 3–5 μm. PWG liefert N-Typ- und P-Typ-Indium-Antimonid-(InSb)-Wafer für hochempfindliche Infraroterkennung, magnetische Erkennung und kryogene Elektronik.

Freistehende (FS) GaN-Substrate sind native GaN-Wafer, die fremde Substrate (Saphir/Silizium) eliminieren. Mit einer ultraniedrigen Versetzungsdichte und hoher kristalliner Qualität bietet er die ultimative Plattform für leistungsstarke Laserdioden, Mikro-LEDs und RF-Bauelemente.