PRODUKTZENTRUM

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Entdecken Sie unsere Standard-Verbindungshalbleitersubstrate und Epi-Wafers – oder arbeiten Sie mit unseren Ingenieuren für individuelle Spezifikationen zusammen.

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III-V-Halbleiter-Epitaxialwafer

Präzisions-MOCVD/MBE-gezüchtete Heterostrukturen auf InP-, GaSb- und GaAs-Substraten. Entwickelt für Hochleistungs-HEMTs, pHEMTs, HBTs, Laserdioden, VCSELs und IR-Detektoren. Unterstützung maßgeschneiderter Epi-Strukturen von F&E bis zur Massenproduktion.

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SiC-Wafers

SiC-Substrat

SiC-Substrat-Wafer für Leistungs-, HF-, optoelektronische und fortschrittliche Halbleiteranwendungen. Erhältlich in 4H-SiC, 6H-SiC und 3C-SiC, mit N-, P-Typ- und halbisolierenden Optionen, verschiedenen Wafergrößen, Dopingstufen und Oberflächenoberflächen.

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SiC-Wafers

SiC-Epitaxie

Unsere SiC-Epitaxial-Wafer – angebaut durch CVD auf SiC-Substraten – bieten eine gut kontrollierte Einheitlichkeit und eine geringe Defektdichte und bilden eine zuverlässige Plattform für SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT und so weiter von 600V bis 10kV.

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AlN-Vorlage

AlN auf der Silizium-Schablone

AlN auf Silizium-Vorlagen bietet eine hochwertige Schnittstelle und eine Pufferplattform für die nachfolgende GaN-Epitaxie und unterstützt die Entwicklung von leistungsstarken GaN-Strom- und HF-Geräten.

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AlN-Vorlage

AlN über die Saphirvorlage

Saphirbasierte AlN-Vorlagen sind in verschiedenen Wafergrößen und anpassbaren AlN-Dicken und -Ausrichtungen erhältlich; AlN-auf-Saphir-Vorlagen mit hoher kristalliner Qualität und niedriger Fehlerdichte eignen sich sowohl für Forschung & Entwicklung als auch für die Entwicklung von Geräteproduktionen.

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DREI KERNMATERIALFAMILIEN

Entwickelte Materialien für Ihre Geräte-Roadmap

Durchsuchen Sie Substrate und Epi-Wafer nach Materialfamilie. Standardkonfigurationen und individuelle Spezifikationen sind für Forschung und Entwicklung sowie Massenproduktion verfügbar.

KONSTRUIERTE MATERIALIEN

III-V-Verbundhalbleiter

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FUNDAMENTMATERIALIEN

Weitbandlücke-Halbleiter

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PROGRAMMSPEZIFISCH

Siliziummaterialien

Parameter jenseits der Standardliste

Individueller Durchmesser und Dicke

Ausrichtung & Ablagerung

Doping und Resistivität

Dünnschichten und Schichtstacks

Flächen- und Kantenprofil

Markierung und Verpackung

01Anforderungen einreichen

02Technische Überprüfung

03Spezifikationsausrichtung

04Angebot & Lieferzeit

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TECHNISCHE UNTERSUCHUNG

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