8-Zoll-SiC-Substrate bewegen sich vom Pilot- zu Mainstream-Substraten. Entdecken Sie die Auswirkungen auf Angebot, Preise und Epitaxie für Hersteller von Stromgeräten im Jahr 2026.
2026-09-01 14:19:48
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8-Zoll-SiC-Substrate bewegen sich vom Pilot- zu Mainstream-Substraten. Entdecken Sie die Auswirkungen auf Angebot, Preise und Epitaxie für Hersteller von Stromgeräten im Jahr 2026.
KI-Racks steigen von 10 kW auf über 100 kW. Sehen Sie, wie die 800-V-HVDC-Architektur die Nachfrage zwischen SiC und GaN aufteilt und was das für die Epiwafer-Spezifikationen bedeutet.
Die Dicke der Spacer-Schicht beeinflusst das kryogene Rauschen in InP-HEMTs stark, mit einem optimierten Wertausgleich für Mobilität, Gate-Steuerung und Realraumübertragung. Deckschicht-Dotierung und Stabilität müssen ebenfalls gemeinsam mit Metallisierungs- und Lift-off-Prozessen gestaltet werden, um den Kontaktwiderstand niedrig zu halten.
Entdecken Sie TFLN (Dünnschicht-Lithiumniobat) Wafer für integrierte Photonik, elektrooptische Modulation und SAW-Anwendungen mit anpassbaren Kristallorientierungen und Filmdicken.
β-Ga₂O₃-Substrate für DUV-Detektions- und Strahlungsgeräte
Die weltweiten Siliziumwafer-Auslieferungen erreichten im zweiten Quartal 2026 3.573 MSI, was einem Anstieg von 7,4 % im Jahresvergleich entspricht. Was die neuesten SEMI-Daten für Angebot, Vorlaufzeiten und Qualifikation bedeuten.
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