Technische Erkenntnisse

InP HEMT Epitaksiale Wafer: Geringes Rauschen und individuelles Wachstum

Die Dicke der Spacer-Schicht beeinflusst das kryogene Rauschen in InP-HEMTs stark, mit einem optimierten Wertausgleich für Mobilität, Gate-Steuerung und Realraumübertragung. Deckschicht-Dotierung und Stabilität müssen ebenfalls gemeinsam mit Metallisierungs- und Lift-off-Prozessen gestaltet werden, um den Kontaktwiderstand niedrig zu halten.

2026-10-23 17:24:21 Mehr lesen →

Technische Erkenntnisse

TFLN-Wafer: Dünnschicht-Lithiumniobat für Photonik- und SAW-Anwendungen

Entdecken Sie TFLN (Dünnschicht-Lithiumniobat) Wafer für integrierte Photonik, elektrooptische Modulation und SAW-Anwendungen mit anpassbaren Kristallorientierungen und Filmdicken.

2026-10-16 11:54:53 Mehr lesen →

Technische Erkenntnisse

β-Ga₂O₃ Substrate: Spezifikationen, Wachstum & Anwendungen

β-Ga₂O₃-Substrate für DUV-Detektions- und Strahlungsgeräte

2026-10-12 17:38:03 Mehr lesen →

Technische Erkenntnisse

Silikonwafer RCA-Standardreinigung

Lerne die RCA-Reinigungsschritte des Siliziumwafers und wichtige Parameter. PWG liefert 2–12" Prime/Forschungs-/Dummy-Qualitäts-Si-Wafer mit technischem Support

2026-09-01 11:40:20 Mehr lesen →

Technische Erkenntnisse

GaN-Photodetektor-Wafer

Bieten verschiedene kommerzielle Epitaxie-GaN-Photodetektor-Wafer mit anpassbaren Strukturen an, die unterschiedliche Substrate und Anwendungsanforderungen abdecken

2026-09-01 11:40:14 Mehr lesen →

Technische Erkenntnisse

InAlNGaN HEMT-Epitaxie

Individuelle InAlN/GaN HEMT-Epiwafer auf Saphir-, SiC- und Si-Substrat mit hochdichter 2DEG, ideal für Millimeterwellenanwendungen

2026-09-01 11:38:18 Mehr lesen →

Technische Erkenntnisse

Violette Laserdiode

Hochleistungs-GaN-basierte violette Laserdioden-Epiwafer, die geliefert werden, werden mit der MOCVD-Methode als Si-Substrat mit Mehrquantenbohrungen für niedrigen Schwellenstrom gezüchtet.

2026-09-01 11:37:44 Mehr lesen →

Technische Erkenntnisse

COP-Defekte erklärten die winzigen Hohlräume, die die Leistung großer Chips beeinflussen

Als professioneller Lieferanten von Siliziumwafern beherrscht PWG die Kontrolle von Crystal Originated Particle (COP)-Defekten und gewährleistet so die Integrität und Ausbeute der Kristalle für Ihre ULSI-Geräte

2026-09-01 10:02:32 Mehr lesen →

Technische Erkenntnisse

4H-SiC-PIN-Epiwafer

Entdecken Sie die 4H-SiC-PIN-Dioden-Epiwafer von PWG mit optimiertem Epilayer-Design, die eine hohe Zuverlässigkeit der Leistungselektronik gewährleisten

2026-08-31 18:07:37 Mehr lesen →