Premium-SiC-Substrat-Wafer für Strom-, HF- und optoelektronische Bauelemente. Erhältlich in 4H-, 6H- und 3C-Polytypen mit N-, P-Typ- und halbdämmenden Optionen. Angeboten in 2"–12"-Größen mit Epi-fertigen Oberflächen für die fortschrittliche Halbleiterfertigung.

SiC-Epitaktik-Wafer, die durch CVD gezüchtet wurden, liefern eine ausgezeichnete Dickegleichmäßigkeit und eine geringe Defektdichte. Konzipiert für 600V- bis 10kV-Leistungsgeräte (SBDs, MOSFETs, IGBTs) und ermöglicht Hochleistungsanwendungen in Elektrofahrzeugen, Industrieantrieben und erneuerbaren Energien.