PRODUKTZENTRUM

Finde den richtigen Wafer für dein Programm.

Entdecken Sie Standard-Compound-Halbleiterwafer nach Materialfamilie, Spezifikation und Anwendung – oder nehmen Sie Kontakt zu unserem Team für individuelle Parameter und nachgelagerte Verarbeitung auf.

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Produktsuche & Klassifizierung

Fang mit dem Material an. Verfeinere nach Spezifikation.

Baue einen klaren Weg von der Materialfamilie zu einer produktionsreifen Wafer-Spezifikation.

Siliziumsubstrat

Die Power Wafertech Group liefert Einkristall-Siliziumwafer für die Herstellung von Halbleiterbauelementen, MEMS, epitaxialem Wachstum und Forschungsanwendungen. Sowohl erstklassige als auch testfähige Siliziumwafer können geliefert werden.

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Silizium-Epitaxialwafer

Die Power Wafertech Group liefert Silizium-Epitaktik-Wafer (Si-Epi-Wafer), die durch eine fortschrittliche CVD-Epitaksie gezüchtet werden. Präzise gesteuerte Silizium-Epitaktikschichten werden auf leitfähige Substrate aufgebracht, um die erforderliche Dicke, das Dosierungsprofil und den Widerstand für die Herstellung von Halbleiterbauelementen zu erreichen.

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Siliziumdioxid-Wafer

Die Power Wafertech Group liefert Siliziumdioxid-Wafer (SiO₂ on Si), die durch kontrollierte thermische Oxidation von Siliziumsubstraten hergestellt werden. Sowohl trockene thermische als auch feuchte thermische Oxidation sind für unterschiedliche Oxiddicken und Prozessanforderungen erhältlich. Unsere SiO₂-Wafer zeichnen sich durch kontrollierte Oxiddicke, gute Wafer-Level-Gleichmäßigkeit und epi-/prozessbereite Oberflächen aus.

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III-V-Halbleiter-Epitaxialwafer

PWG bietet epitaxische Lösungen auf Basis von InP-, GaSb- und GaAs-Substraten an, die Heterostrukturen für HEMTs, pHEMTs, HBTs, Laserdioden, Photodetektoren, VCSELs, Infrarotdetektoren und andere III-V-Geräte abdecken.

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III-V-Compound-Wafer

InSb-Wafer

Mit einer ultraschmalen direkten Bandlücke von etwa 0,17 eV bei 300 K und außergewöhnlich hoher Elektronenbeweglichkeit eignet sich InSb besonders gut für die Erkennung von Infrarot mittelwelliger Länge (MWIR) im Bereich von 3–5 μm. PWG liefert N-Typ- und P-Typ-Indium-Antimonid-(InSb)-Wafer für hochempfindliche Infraroterkennung, magnetische Erkennung und kryogene Elektronik.

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III-V-Compound-Wafer

InP-Wafer

Indiumphosphid (InP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter mit einer direkten Bandlücke (1,34 eV bei 300K) und einer höheren Elektronenmobilität als GaAs. Sie bietet eine überlegene Leistung in drei Schlüsselbereichen: Hochfrequenz-HF (bis zum THz-Bereich), langwellige Optoelektronik (1,3–1,55 μm) und photonische integrierte Schaltkreise mit niedrigem Phasenrausch.

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DREI KERNPRODUKTFAMILIEN

Ein klares Portfolio für Standard- und Spezialprogramme.

Überprüfen Sie gängige Konfigurationen, typische Anwendungen und verfügbare Wege für weitere Spezifikationen.

FUNDAMENTMATERIALIEN

Weitbandlücke-Halbleiter

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KONSTRUIERTE SCHICHTEN

III-V-Verbundhalbleiter

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PROGRAMMSPEZIFISCH

Siliziummaterialien

Parameter jenseits der Standardliste

Individueller Durchmesser und Dicke

Ausrichtung & Ablagerung

Doping und Resistivität

Dünnschichten und Schichtstacks

Flächen- und Kantenprofil

Markierung und Verpackung

01Anforderungen einreichen

02Technische Überprüfung

03Spezifikationsausrichtung

04Angebot & Lieferzeit

Sprich mit einem Ingenieur

TECHNISCHE UNTERSUCHUNG

Sprich mit Ingenieuren über deine Wafer-Bedürfnisse

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