Siliziumsubstrat | Power Wafertech Group

Siliziumsubstrat

Die Power Wafertech Group liefert Einkristall-Siliziumwafer für die Herstellung von Halbleiterbauelementen, MEMS, epitaxialem Wachstum und Forschungsanwendungen. Sowohl erstklassige als auch testfähige Siliziumwafer können geliefert werden.

Größe — 4”, 6”, 8”, 12”
Ausrichtung — (100), (110), (111), (211) usw.
Wachstumsmethode — CZ, FZ
Widerstand — 0,0005 Ω·cm bis >10.000 Ω·cm
Oberflächenbeschichtung — SSP, DSP, überläuft, geätzt und wie geschnitten
Verpackung — Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

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Parameter	6" (150 mm) Siliziumwafer
Kristallwachstum	CZ / FZ
Kristallorientierung	(100), (110), (111)
Dopingtyp	N-Typ (P, As, Sb), P-Typ (B)
Stufe	Prime, Test, Dummy, Forschungsstufe
Widerstand	0,0005–10.000+ Ω·cm, abhängig von Wachstumsmethode und Doping.
Dicke	675 ± 25μm
TTV	≤5μm
Bogen
Warp
Oberflächenfinish	SSP, DSP, überläfft, geätzt oder wie geschnitten
Edge	Notch oder flach, SEMI-Standard
Verpackung	Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	8" (200 mm) Siliziumsubstrat
Kristallwachstum	CZ / FZ
Kristallorientierung	(100), (110), (111)
Dopingtyp	N-Typ (P, As, Sb), P-Typ (B)
Stufe	Prime, Test, Dummy, Forschungsstufe
Widerstand	0,0005–10.000+ Ω·cm, abhängig von Wachstumsmethode und Doping.
Dicke	725 ± 25 μm
TTV
Bogen
Warp
Oberflächenfinish	SSP, DSP, überläfft, geätzt oder wie geschnitten
Edge	Notch, SEMI-Standard
Verpackung	Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	12" (300 mm) Siliziumsubstrat
Kristallwachstum	CZ
Kristallorientierung	(100), (110), (111)
Dopingtyp	N-Typ (P, As, Sb), P-Typ (B)
Stufe	Prime, Test, Dummy
Widerstand	Angepasst an die Dopinganforderungen
Standarddicke	775 ± 25 μm
TTV
Bogen
Warp
Oberflächenfinish	SSP, DSP, überlappt oder geätzt
Randbehandlung	Notch, SEMI-Standard
Verpackung	Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Silizium-Wafer-Typ	Typische Resistivität	Wichtige Anwendungen
Stark betäubte Si	0,0005–0,005 Ω·cm	Leistungsgeräte, MOSFETs, IGBTs, Leistungsdioden, epitaxiale Substrate
Niedriger / mittlerer Widerstand Si	0,005–100 Ω·cm	ICs, CMOS, MEMS, Sensoren, Halbleiter-Forschung und Entwicklung
Si mit hohem Widerstand	100–10.000 Ω·cm	HF-Bauelemente, Hochfrequenzschaltungen, Sensoren, Forschung
Si mit ultrahoher Resistivität	>10.000 Ω·cm	RF-, Mikrowellen-, Detektor- und spezialisierte Forschungsanwendungen

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

Stark betäubte Si

Leistungsgeräte, MOSFETs, IGBTs, Leistungsdioden, epitaxiale Substrate | Typische Resistivität: 0,0005–0,005 Ω·cm

Niedriger / mittlerer Widerstand Si

ICs, CMOS, MEMS, Sensoren, Halbleiter-F&E | Typischer Widerstand: 0,005–100 Ω·cm

Si mit hohem Widerstand

HF-Bauelemente, Hochfrequenzschaltungen, Sensoren, Forschung | Typischer Widerstand: 100–10.000 Ω·cm

Si mit ultrahoher Resistivität

RF-, Mikrowellen-, Detektor- und spezialisierte Forschungsanwendungen | Typischer Widerstand: >10.000 Ω·cm

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Welcher Widerstandsbereich ist verfügbar?

Unser Siliziumwafer-Portfolio umfasst etwa 0,0005 Ω·cm bis >10.000 Ω·cm, abhängig von der Kristallwachstumsmethode und den Dopinganforderungen.

Bieten Sie prime- und testfähige Siliziumwafer an?

Ja. Wir liefern Prime-, Test-, Dummy- und Forschungswafer entsprechend Anwendungs- und Qualitätsanforderungen.

Können die Spezifikationen von Siliziumwafern angepasst werden?

Ja. Durchmesser, Ausrichtung, Dotierung, Widerstand, Dicke, Oberflächenoberfläche, TTV, Bogen und Kette können an spezifische Geräte- oder Prozessanforderungen angepasst werden.

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