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Kristallwachstum
Präzise Dopingkontrolle und niedrige Defektdichte (PVT, LEC, VGF)
Über die Power Wafertech Group
Vom Kristallwachstum zu epitaxischen Wafern
Entdecken Sie die Vollzyklusfertigungskapazitäten von PWG für Compound-Halbleitersubstrate und Epi-Wafer. Bereitstellung von technischer Zusammenarbeit von F&E bis zur Massenproduktion.
Unternehmensübersicht
Dein End-to-End-Materialpartner
Power Wafertech Group ist ein Vollkreislauf-Materialhersteller von Verbindungshalbleitersubstraten und epitaxischen Wafern, darunter SiC, GaN, InP, GaAs, GaSb und InSb. Wir steuern die Kernprozesse – vom Kristallwachstum und der Substratherstellung bis hin zur epitaxischen Ablagerung – und gewährleisten die Sicherheit der Lieferkette sowie eine strikte Materialkonsistenz.
Wir unterstützen globale Kunden mit strikter Spezifikationseinhaltung, vollständiger Chargenrückverfolgbarkeit und schnellem Ingenieur-zu-Ingenieur-Support. Von F&E-Prototyping bis hin zur Wiederholungsproduktion liefern wir dokumentierte, hochwertige Materialien für Ihre Geräteprogramme.
Technologie & Fertigung
Ein integrierter Wafer-Entwicklungs- und Verarbeitungsfluss
Ein vollständig kontrollierter, hausinterner Fertigungsfluss. Wir gewährleisten strenge Qualitätskontrolle, vollständige Chargenrückverfolgbarkeit und sichere Lieferung in jeder Phase Ihres Geräteprogramms.
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Waferverarbeitung
Fortgeschrittenes Schneiden, Schleifen und CMP-Polieren für Epi-reife Oberflächen
03
Epitaxie
HVPE / MOCVD / MBE Wachstum mit enger Dicke und Gleichmäßigkeit des Dopings
04
Herstellung
Nachgelagerte Verarbeitung einschließlich Wafer-Würfeln, Verdünnung und Metallisierung
05
Charakterisierung
Umfassende Inspektion mit XRD-, AFM- und PL-Mapping. Vollständiges CoA bereitgestellt.
WAFERDIENSTE
Präzisionswaferverarbeitung und Unterstützung von Geräteprozessen
Ein vollständiges Portfolio an Präzisionsverarbeitungs- und Dünnschichtabscheidungsdiensten. Wir liefern maßgeschneiderte Lösungen von der Substratverarbeitung bis zur komplexen Gerätefertigung und stellen sicher, dass die Leistung genau Ihren Projektanforderungen entspricht.
Waferverarbeitung
Hochpräzises CMP-Polieren, Würfeln und Wafer-Verdünnen für 4H-SiC, GaSb, InSb und andere Materialien mit breiter Bandlücke/III-V.
Würfeln
Wafer-Ausdünnung
Dünnschichtabscheidung
Optische und elektrische Beschichtungen durch E-Strahl-Verdampfung oder Sputterung. Metalle mit hoher Haftung (Au, Ti/Pt/Au) und IR/UV-Antireflexionsfilme.
AR-Beschichtungen
Metallablagerung
Wafer-Bonding
Fortschrittliche Bonding-Lösungen wie 4H-SiC-on-Isolator (4H-SiCOI) für Hochleistungs-HF, Leistungsbauelemente und integrierte Photonik.
4H-SiCOI
Ionenimplantation
Präzise Steuerung von Spezies, Energie und Dosis, um leitfähige oder isolierende Bereiche in SiC, GaN, Si und anderen Verbindungshalbleitern zu bilden.
Präzisionsdoping
Qualität & Inspektion
Qualitätsnachweise über den gesamten Ordnungszyklus hinweg
Qualitätserwartungen werden bei der Überprüfung der Spezifikationen abgestimmt und durch eingehende, in-prozessbezogene und ausgehende Kontrollen unterstützt. Verfügbare Berichte, Rückverfolgbarkeitsfelder und Verpackungsoptionen werden pro Produkt und Bestellung bestätigt.
- Eingehende, In-Process- und ausgehende Inspektion
- COA- oder Inspektionsbericht-Verfügbarkeit nach Produkt
- Datensätze auf Chargenebene und Rückverfolgbarkeit
- Saubere Verpackungsanforderungen bestätigt pro Bestellung
- Reaktionsschnelle After-Sales- und Issue-Koordination
Qualitätstestberichte
Verifizierte Standards und Managementsysteme
4H-SiC-Wafer-Testbericht
AlN über die Saphirvorlage
Blauer LED-Wafer im Saphir-Testbericht
InP-Wafer-Testbericht
Gruppe 01 / 01
Kooperationsbelege
Bewährte Kollaborationsmodelle: Von der Spezifikation bis zur Produktion
Repräsentative Beispiele dafür, wie wir Industrie und Forschungsprogramme unterstützen. Detaillierte Projektdaten und Kundenidentitäten sind durch strenge NDAs geschützt.
Industrieprogramm
Kundenherausforderung
Skalierung validierter Substratspezifikationen auf Massenproduktion.
PWG-Lösung
Präzises CMP-Polieren, Wafer-Verdünnen und großvolumiges Würfeln für 4H-SiC. Lieferung von Fab-fertigen Substraten mit strikter Chargenkonsistenz.
Forschungsprogramm
Kundenherausforderung
Low-Volume individuelle Epitaxie für die Charakterisierung neuartiger Geräte.
PWG-Lösung
Schnellprototyping und maßgeschneiderte Epitaxie mit niedrigem MOQ. MOCVD/MBE-Wachstum von Mehrschicht-Stacks in Verbindung mit vollständiger Materialcharakterisierung.
Anwendungsentwicklung
Kundenherausforderung
Maßgeschneidertes Doping und Oberflächenbehandlung für aufkommende Architekturen.
PWG-Lösung
Präzise Ionenimplantation und maßgeschneiderte Metallbeschichtungen für Geräteisolation und ohmsche Kontakte.
Einrichtungen & globale Unterstützung
Vier Produktionsbasen, Labore und globale Unterstützung
Sehen Sie sich den Geschäftsumfang jeder Seite an. Informationen zur Einrichtung werden unter dem Vorbehalt einer formellen Validierung dokumentiert.
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Produktionsbasis
Basis 01
Substratmaterialien
Inhouse-Kristallwachstum und Materialsynthese
02
Produktionsbasis
Basis 02
Waferverarbeitung
Schneiden, Schleifen und Polieren
03
Produktionsbasis
Basis 03
Epitaksie und dünne Filme
Fortgeschrittenes Epitaxiewachstum und Dünnschichtablagerung
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Produktionsbasis
Basis 04
Individuelle Technik
Sonderformate, QA und Programmunterstützung
Produktionsstätten
ISO-zertifizierte Reinräume, ausgestattet für Kristallwachstum, Waferherstellung und epitaktische Abscheidung.
Inspektionslabor
Ausgestattet mit XRD-, AFM- und PL-Kartierungen für eine rigorose Materialcharakterisierung und -inspektion.
Qualifikationen & Globaler Dienst
Sicherung globaler Lieferketten mit strenger Chargenrückverfolgbarkeit, NDA-geschützter technischer Unterstützung und sicherer Reinraumverpackung.
Zusammenarbeit mit Power Wafertech
Partnerschaft mit Power Wafertech
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