PWG bietet epitaxische Lösungen auf Basis von InP-, GaSb- und GaAs-Substraten an, die Heterostrukturen für HEMTs, pHEMTs, HBTs, Laserdioden, Photodetektoren, VCSELs, Infrarotdetektoren und andere III-V-Geräte abdecken.

Mit einer ultraschmalen direkten Bandlücke von etwa 0,17 eV bei 300 K und außergewöhnlich hoher Elektronenbeweglichkeit eignet sich InSb besonders gut für die Erkennung von Infrarot mittelwelliger Länge (MWIR) im Bereich von 3–5 μm. PWG liefert N-Typ- und P-Typ-Indium-Antimonid-(InSb)-Wafer für hochempfindliche Infraroterkennung, magnetische Erkennung und kryogene Elektronik.

Indiumphosphid (InP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter mit einer direkten Bandlücke (1,34 eV bei 300K) und einer höheren Elektronenmobilität als GaAs. Sie bietet eine überlegene Leistung in drei Schlüsselbereichen: Hochfrequenz-HF (bis zum THz-Bereich), langwellige Optoelektronik (1,3–1,55 μm) und photonische integrierte Schaltkreise mit niedrigem Phasenrausch.

Mit einer schmalen direkten Bandlücke von etwa 0,354 eV bei 300 K und außergewöhnlich hoher Elektronenbeweglichkeit eignet sich InAs hervorragend für Infrarotdetektoren, Hall-Sensoren, Hochgeschwindigkeitstransistoren und andere hochmobile Geräte.

Mit einer Gitterkonstante von etwa 6,096 Å bietet GaSb (Galliumantimonid) eine ausgezeichnete Gitterkompatibilität mit antimonidbasierten Materialien wie InAs, AlSb und InAsSb und ist damit eine wichtige Substratplattform für Typ-II-Supergitter-(T2SL)-Infrarotdetektoren, Mid-IR-Laser und fortschrittliche optoelektronische Bauelemente. GaSb-Wafer sind in mehreren Durchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen für epitaxisches Wachstum und Gerätefertigung erhältlich.

Galliumarsenid (GaAs) kombiniert eine direkte Bandlücke mit hoher Elektronenmobilität und ist damit ein weit verbreitetes Substratmaterial für MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, Laserdioden, LEDs und hocheffiziente Solarzellen. GaAs-Wafer sind in mehreren Durchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen erhältlich.