III-V-Compound-Wafer

InAs Wafer

Mit einer schmalen direkten Bandlücke von etwa 0,354 eV bei 300 K und außergewöhnlich hoher Elektronenbeweglichkeit eignet sich InAs hervorragend für Infrarotdetektoren, Hall-Sensoren, Hochgeschwindigkeitstransistoren und andere hochmobile Geräte.

Größe — 2", 3" und 4"
Ausrichtung — (100), (111)
Leitungstyp — N-Typ (S / Sn-doped) und P-Typ (Zn-dotiert)
Oberflächenbeschichtung — SSP / DSP, epi-bereit
Verpackung — Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

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Parameter	2" (50,8 mm) InAs Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	S / Sn
Ausrichtung	(100) / (111)
Dicke	500±25 mm
TTV
Bogen
Warp
Elektronenmobilität	6.000–20.000 oder ≥20.000 cm²/V·s
Ladungsträgerkonzentration	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit

Parameter	3" (76,2 mm) InAs Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	S / Sn
Ausrichtung	(100) / (111)
Dicke	600±25 mm
TTV
Bogen
Warp
Elektronenmobilität	6.000–20.000 oder ≥20.000 cm²/V·s
Ladungsträgerkonzentration	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	4" (100 mm) InAs Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	S / Sn
Ausrichtung	(100) / (111)
Dicke	900±25 mm
TTV
Bogen
Warp
Elektronenmobilität	6.000–20.000 oder ≥20.000 cm²/V·s
Ladungsträgerkonzentration	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

Infraroterkennung

Die enge Bandlücke von InAs macht es für Infraroterkennung und -erkennung geeignet, insbesondere im kurzen und mittleren Infrarotbereich. Typische Bauelemente: Infrarotphotodetektoren, IR-Sensoren, Gassensoren, Wärmebildgeräte, Spektroskopiedetektoren, empfohlenes Substrat: N-Typ oder P-Typ InAs, je nach Gerätestruktur.

Hochmobilitätselektronik

InAs bietet eine außergewöhnlich hohe Elektronenmobilität und eine geringe effektive Elektronenmasse, was es zu einem attraktiven Material für schnelle und hochmobile elektronische Geräte macht. Typische Geräte: Hochmobile Transistoren Hochfrequenzgeräte Rauscharme elektronische Bauelemente Hall-Sensoren Fortschrittliche III-V elektronische Strukturen Empfohlenes Substrat: N-Typ InAs für Anwendungen, die eine hohe Elektronenmobilität erfordern.

Infrarot- und Optoelektronikforschung

InAs-Substrate werden weit verbreitet als Plattform für fortschrittliche III-V-Material- und Geräteforschung genutzt. Typische Anwendungen: Infrarot-Optoelektronik Halbleiter-Nanostrukturen Quantenbauelemente Epitaktische Materialentwicklung Fortschrittliche Photodetektoren

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Warum ist InAs für hochmobile Geräte geeignet?

InAs besitzt eine außergewöhnlich hohe Elektronenmobilität und eine geringe effektive Elektronenmasse, was es für Hochgeschwindigkeitstransistoren, Hall-Sensoren und andere hochmobile elektronische Geräte attraktiv macht.

Welcher InAs-Wafer wird für Infrarotdetektoren empfohlen?

Sowohl N-Typ- als auch P-Typ-InAs können für Infrarotdetektorstrukturen verwendet werden. Der geeignete Leitfähigkeitstyp hängt vom Gerät und dem epitaxischen Design ab.

Welcher InAs Wafer eignet sich für hochmobile elektronische Geräte?

N-Typ InAs wird häufig für Anwendungen ausgewählt, die eine hohe Elektronenmobilität erfordern.

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