III-V-Compound-Wafer

InAs Wafer

Die Power Wafertech Group liefert Indiumarsenid-(InAs)-Substratwafer für Infrarotdetektion, Hochmobilelektronik und fortschrittliche III-V-Halbleiterforschung. Verfügbare Optionen umfassen N-Typ und P-Typ InAs, mit ausgewählten Waferdurchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen für die Bauteilfertigung und epitaxisches Wachstum.

Größe — 2", 3" und 4"
Ausrichtung — (100), (111)
Leitungstyp — N-Typ (S / Sn-doped) und P-Typ (Zn-dotiert)
Oberflächenbeschichtung — SSP / DSP, epi-bereit
Verpackung — Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Spezifikationen nach Wafer-Typ.

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Parameter	2" (50,8 mm) InAs Substrat
Leitungstyp	N-Typ	P-Type
Dopant	S / Sn	Zn
Ausrichtung	(100) / (111)	(100) / (111)
Dicke	500±25 mm	500±25 mm
TTV
Bogen
Warp
Elektronenmobilität	6.000–20.000 oder ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Ladungsträgerkonzentration	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	3" (76,2 mm) InAs Substrat
Leitungstyp	N-Typ	P-Type
Dopant	S / Sn	Zn
Ausrichtung	(100) / (111)	(100) / (111)
Dicke	600±25 mm	600±25 mm
TTV
Bogen
Warp
Elektronenmobilität	6.000–20.000 oder ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Ladungsträgerkonzentration	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	4" (100 mm) InAs Substrat
Leitungstyp	N-Typ	P-Type
Dopant	S / Sn	Zn
Ausrichtung	(100) / (111)	(100) / (111)
Dicke	900±25 mm	900±25 mm
TTV
Bogen
Warp
Elektronenmobilität	6.000–20.000 oder ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Ladungsträgerkonzentration	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

Infrarotdetektoren und -sensoren

InAs wird in Infrarot-Photodetektoren und Sensorstrukturen eingesetzt, einschließlich ausgewählter Anwendungen zur Gasmessung und Spektroskopie. Der erforderliche Substratleitfähigkeitstyp, die Ladungsträgerkonzentration und der Oberflächenzustand hängen vom Detektordesign und der Materialstruktur ab. Typische Anwendungen: Infrarot-Photodetektoren, IR-Sensoren, Spektroskopie und Gassensorforschung.

Hochmobilitätselektronik

Die hohe Elektronenmobilität von InAs macht es zu einem nützlichen Material für hochmobile elektronische Strukturen und fortgeschrittene Transistorforschung. Seine elektrischen Eigenschaften können die Entwicklung von Hochgeschwindigkeitsbauelementen und spezialisierten elektronischen Heterostrukturen unterstützen. Typische Anwendungen: Hochmobile Transistoren, Hall-Effekt-Messungen, Hochgeschwindigkeitselektronik und III-V-Heterostrukturforschung.

III-V-Epitaxie

Der InAs Wafer bietet eine vielseitige Plattform für das epitaxiale Wachstum von Verbindungshalbleiterstrukturen mittels MBE und MOCVD. Ihre schmale direkte Bandlücke (0,354 eV) und hohe Elektronenmobilität machen sie ideal für den Aufbau infrarotsensitiver Heterostrukturen, einschließlich InAs/GaSb Typ-II-Superlattices, InAsSb-Legierungen und quantenbegrenzten Strukturen. Typische Anwendungen umfassen die Entwicklung epitaxischer Materialien für MWIR/LWIR-Detektoren, Hochgeschwindigkeitstransistoren und fortschrittliche III-V-Halbleiterforschung.

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Wofür werden InAs Wafer verwendet?

Indiumarsenid-(InAs)-Wafer werden in der Infrarotdetektion, in hochmobilen elektronischen Bauelementen und in der III-V-Halbleiterforschung eingesetzt. Typische Anwendungen umfassen Infrarot-Photodetektoren, Hall-Sensoren, Hochgeschwindigkeitstransistorstrukturen und die Entwicklung epitaxischer Materialien.

Welcher InAs Wafer eignet sich für epitaxisches Wachstum?

Das geeignete InAs-Substrat hängt vom epitaxischen Materialsystem, dem Wachstumsprozess, der Kristallorientierung, dem Oberflächenzustand und der Bausteinstruktur ab. Geben Sie bei der Anfragung eines Angebots Ihre Wachstumsanforderungen und Akzeptanzkriterien an.

Welcher InAs Wafer eignet sich für hochmobile elektronische Geräte?

N-Typ InAs wird häufig für Anwendungen ausgewählt, die eine hohe Elektronenmobilität erfordern.

Wie beantrage ich ein InAs-Wafer-Angebot?

Reichen Sie Ihre erforderlichen Spezifikationen, Menge und beabsichtigten Antrag über das technische Anfrageformular ein. Sie können auch ein Spezifikationsblatt oder eine Zeichnung beilegen, um uns bei der Bewertung Ihrer Anforderungen zu helfen.

Technische Untersuchung

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