Freistehende (FS) GaN-Substrate sind native GaN-Wafer, die fremde Substrate (Saphir/Silizium) eliminieren. Mit einer ultraniedrigen Versetzungsdichte und hoher kristalliner Qualität bietet er die ultimative Plattform für leistungsstarke Laserdioden, Mikro-LEDs und RF-Bauelemente.

Die GaN-Vorlage von PWG bezieht sich auf hochwertige GaN-Epitaktikschichten, die auf Saphir-, Silizium- oder SiC-Substraten gewachsen sind. Bereitstellung einer kosteneffizienten, epi-reifen Plattform für das spätere GaN-Wachstum und die fortschrittliche Gerätefertigung.

Die GaN-LED-Epitaxialwafer von PWG sind MOCVD-gezüchtete AlGaN/InGaN-Heterostrukturen, die für hocheffiziente UV-, blaue und grüne LEDs entwickelt wurden. Mit präzisen Multi-Quanten-Well-(MQW)-Strukturen liefern diese Epi-Wafer eine hohe interne Quanteneffizienz (IQE), gleichmäßige Emission und überlegene Zuverlässigkeit der Geräte.

Präzisionsgezüchtete AlGaN/GaN HEMT-Strukturen für Hochfrequenz-HF- und Hochleistungsschaltung. Mit fehlerarmen Puffern und hochdichten 2DEG-Kanälen für eine bessere Geräteleistung.

Premium-SiC-Substrat-Wafer für Strom-, HF- und optoelektronische Bauelemente. Erhältlich in 4H-, 6H- und 3C-Polytypen mit N-, P-Typ- und halbdämmenden Optionen. Angeboten in 2"–12"-Größen mit Epi-fertigen Oberflächen für die fortschrittliche Halbleiterfertigung.

SiC-Epitaktik-Wafer, die durch CVD gezüchtet wurden, liefern eine ausgezeichnete Dickegleichmäßigkeit und eine geringe Defektdichte. Konzipiert für 600V- bis 10kV-Leistungsgeräte (SBDs, MOSFETs, IGBTs) und ermöglicht Hochleistungsanwendungen in Elektrofahrzeugen, Industrieantrieben und erneuerbaren Energien.