GaN-Wafers

GaN HEMT Epitaxie

GaN HEMT Epitaxialwafer sind präzisionsgezüchtete AlGaN/GaN-Heterostrukturen, die für Hochfrequenz- und Hochleistungsschaltgeräte entwickelt wurden.

Substratplattform — Saphir, Si, SiC
Größe — 2"–8"
Ausstattung — Hochdichte-zweidimensionaler Elektronengas-(2DEG)-Kanal

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parameter	RF HEMT Epi-Struktur	Power HEMT Epi-Struktur
Passivierung	SiN	—
Deckschicht	GaN	GaN
Barriere	AlGaN	AlGaN / (In)AlN
Interlayer	AlN	AlN
Kanal	GaN	GaN
Puffer	GaN	GaN
Keimbildung	Keimbildungsschicht	Keimbildungsschicht
Substrat	Saphir	Saphir
Größe	2”, 4”, 6”	2”, 4”, 6”

Parameter	Leistungs-D-Modus / RF HEMT Epi-Struktur	Power E-Mode HEMT Epi-Struktur
Passivierung	SiN	/
Deckschicht	GaN	p-GaN/GaN
Barriere	AlGaN	AlGaN
Kanal	GaN	GaN
Puffer	AlGaN	AlGaN
Übergangsschicht	AlN	/
Substrat	Si	Si
Substratparameter
Waferdurchmesser	2”, 4”, 6”, 8”	2”, 4”, 6”, 8”
Substratdicke	675μm / 1000μm / 1300μm / 1500μm*	675μm / 1000μm / 1300μm / 1500μm*

Parameter	RF HEMT Epi-Struktur
Passivierung	SiN
Deckschicht	GaN
Barriere	AlGaN
Interlayer	AlN
Kanal	GaN
Puffer	GaN
Übergangsschicht	AlN
Substrat	4H-SiC
Größe	2”, 4”, 6”

* Individuell angepasste Epi-Strukturen sind je nach Gerätebedarf erhältlich.

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

HF-Leistungsverstärker

GaN-on-SiC- oder GaN-on-Si-HEMT-Epiwafer für 5G/6G-Infrastruktur, Satellitenkommunikation und Radarsysteme

Schnellladeadapter

GaN-on-Si HEMT-Epiwafer für Smartphones, Laptops und Unterhaltungselektronik

Leistungsumwandlung

GaN-on-Si- oder GaN-on-saphir-HEMT-Epiwafer für Server-Netzteile, industrielle Motorantriebe, Wechselrichter für erneuerbare Energien (Solar, Wind)

Elektrofahrzeuge

GaN-on-Si HEMT Epiwafer für Onboard-Ladegeräte (OBC), DC-DC-Wandler

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Was ist der Unterschied zwischen GaN-on-Si, GaN-on-SiC und GaN-on-Sapphire?

Die drei Plattformen bieten unterschiedliche Kombinationen aus thermischer Leistung, Wafergröße, Kosten und Geräteanwendung: GaN-on-Si: attraktiv für skalierbare Leistungselektronik und kostenempfindliche Anwendungen. GaN-on-SiC: ausgezeichnete thermische Leistung und häufig für Hochleistungs-RF-Anwendungen ausgewählt. GaN-on-Sapphire: Wirtschaftliche Plattform für die Entwicklung von GaN-Geräten und ausgewählte Leistungs-/RF-Anwendungen.

Kann die AlGaN-Barriereschicht angepasst werden?

Ja. Die Zusammensetzung und Dicke der AlGaN-Barriere können entsprechend den erforderlichen 2DEG-Eigenschaften und dem Bausteindesign angepasst werden. AlGaN/(In)AlN-Barrierestrukturen können auch für spezifische Anwendungen in Betracht gezogen werden.

Technische Untersuchung

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