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HF-Leistungsverstärker
GaN-on-SiC / GaN-on-Si HEMT-Epiwafer für 5G/6G massive MIMO, Satellitenkommunikation (SATCOM) und Phased-Array-Radarsysteme.
GaN-Wafers
GaN HEMT Epitaxie
Präzisionsgezüchtete AlGaN/GaN HEMT-Strukturen für Hochfrequenz-HF- und Hochleistungsschaltung. Mit fehlerarmen Puffern und hochdichten 2DEG-Kanälen für eine bessere Geräteleistung.
- Größe — 2"–8"
- Substratplattform — Saphir, Si oder SiC
- Epitaxiale Struktur — AlGaN/GaN HEMT (Individuelle Al-Komposition & GaN-Dicke)
- 2DEG-Eigenschaften — Hochdichte (>1,0 × 10¹³ cm⁻²)
- Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt
Detaillierte Spezifikationen
Spezifikationen nach Wafer-Typ.
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Exportkontrollmitteilung
Der Export dieses Produkts wird vom Handelsministerium der VR China (MOFCOM) reguliert. Vor dem Versand muss eine Exportlizenz eingeholt werden.
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* Individuell angepasste Epi-Strukturen sind je nach Gerätebedarf erhältlich.
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Anwendungen
Wo dieser Wafer Wert liefert
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Schnellladen & Verbraucher
GaN on Si HEMT Epi Wafer für ultraschnelle Ladegeräte (USB-PD), kabelloses Laden und kompakte Netzteile in Smartphones, Laptops und IoT-Geräten.
03
Stromumwandlung und Rechenzentren
GaN HEMT Epi zu Saphir/Silizium für KI-Server-Netzteile, industrielle Motorantriebe und erneuerbare Energiewechselrichter (Solar/Wind). Dies ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und Effizienz.
04
Elektrofahrzeuge
Si-basierte GaN HEMT-Epitaktik-Wafer für 800V-Onboard-Ladegeräte (OBC), DC-DC-Wandler und Traktionswechselrichter ermöglichen kleinere, leichtere und effizientere Elektrostromsysteme.
FAQ
Häufige Fragen zu diesem Produkt
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
GaN-on-SiC: Am besten für Hochleistungs-RF (5G/6G, Radar) aufgrund der hervorragenden Wärmeleitfähigkeit. GaN-on-Si: Kosteneffizient für Leistungselektronik (Schnellladen, EV-OBC) und skalierbar auf 8 Zoll. GaN-on-Sapphire: Wirtschaftliche Plattform für HF- und Optoelektronik, bei der der thermische Bedarf geringer ist.
Ja. Wir bieten eine vollständige Anpassung der Al-Zusammensetzung und -Dicke, um die 2DEG-Dichte, die Mobilität und die Schwellenspannung abzustimmen. AlN/(In)AlN-Barrierenstrukturen und benutzerdefinierte Pufferschichten sind ebenfalls verfügbar.
GaN HEMT Epitaxie-Wafer sind von 2" bis 8" erhältlich (individuelle Größen erhältlich). Die Standardausstattung umfasst Epi-reife Oberflächen, geringe Defektdichte und strenge TTV/Bogen/Warp-Kontrolle.
Ja. Wir sind f&e-freundlich mit niedrigem MOQ. Wir unterstützen schnelles Prototyping (schnelle Umlaufzeit), Pilotläufe und einen nahtlosen Übergang zur Massenproduktion.
Freistehendes GaN-Substrat
Freistehende (FS) GaN-Substrate sind native GaN-Wafer, die fremde Substrate (Saphir/Silizium) eliminieren. Mit einer ultraniedrigen Versetzungsdichte und hoher kristalliner Qualität bietet er die ultimative Plattform für leistungsstarke Laserdioden, Mikro-LEDs und RF-Bauelemente.
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GaN-Vorlage
GaN-Vorlage von PWG bezieht sich auf hochwertige GaN-Epitaktikschichten, die auf Saphir-, Silizium- oder SiC-Substraten gewachsen sind. Bereitstellung einer kosteneffizienten, epi-reifen Plattform für das spätere GaN-Wachstum und die fortschrittliche Gerätefertigung.
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GaN LED-Epitaxie
Die GaN-LED-Epitaxialwafer von PWG sind MOCVD-gezüchtete AlGaN/InGaN-Heterostrukturen, die für hocheffiziente UV-, blaue und grüne LEDs entwickelt wurden. Mit präzisen Multi-Quanten-Well-(MQW)-Strukturen liefern diese Epi-Wafer eine hohe interne Quanteneffizienz (IQE), gleichmäßige Emission und überlegene Zuverlässigkeit der Geräte.
Details anzeigenTechnische Untersuchung
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Nr. 1389, Lianmei Road, Lianhua Industriezone, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
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