GaN-Wafers
GaN-Vorlage
Die GaN-Vorlagen von PWG bestehen aus einer hochkristallinen GaN-epitaxialen Schicht, die auf fremden Substraten gewachsen ist und ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung, Wärmemanagement und Kosteneffizienz bietet.
- Substratoptionen — Saphir, Silizium oder SiC
- GaN-Epilayer-Leitung — N-Typ (Si-dotiert), P-Typ (Mg-dotiert) und halb-isolierend (Fe-dotiert)
- Epi-Dicke — 1μm bis 100μm (anpassbar)
- Kristalline Qualität — Dislokationsdichte <1×10⁸cm⁻² (auf Saphir)
- Erweiterte Materialoptionen — AlGaN-Vorlage, InGaN-Vorlage
Detaillierte Spezifikationen
Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.
Select a diameter to review the corresponding published specification set.
FAQ
Häufige Fragen zu diesem Produkt
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
Ja. GaN-Templates sind in erster Linie als epi-reife Plattformen für eine nachfolgende GaN- oder verwandte III-Nitrid-Epitaxie konzipiert, was dazu beiträgt, den Wachstumsprozess zu vereinfachen und eine kontrollierte kristalline Oberfläche bereitzustellen.
Ja. Zusätzlich zu GaN-Vorlagen kann PWG AlGaN- und InGaN-Vorlagen für Anwendungen bereitstellen, die Bandgap-Engineering erfordern, insbesondere für fortschrittliche UV-, sichtbare Licht- und andere optoelektronische Geräte.
Technische Untersuchung
Sprich mit Ingenieuren über deine Wafer-Bedürfnisse
Teilen Sie Ihr Material, Ihre Maße, Spezifikationen, Anwendungs- oder Projektphase. Unser Team wird Ihre Anforderungen prüfen und innerhalb eines Werktages antworten.
Ingenieursgesteuerte Reaktion
Anfragen werden an das zuständige technische oder kommerzielle Team weitergeleitet.
Adresse
Nr. 1389, Lianmei Road, Lianhua Industriezone, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
Telefon
