01
Leistungselektronik
Eine optimale Plattform für Hochspannungs- und Hochleistungsschaltgeräte, einschließlich GaN-on-Si-Strom-HEMTs für Schnellladegeräte, Elektrofahrzeug-Antriebsstränge und Stromversorgungen für Rechenzentren.
GaN-Wafers
GaN-Vorlage
Die GaN-Vorlage von PWG bezieht sich auf hochwertige GaN-Epitaktikschichten, die auf Saphir-, Silizium- oder SiC-Substraten gewachsen sind. Bereitstellung einer kosteneffizienten, epi-reifen Plattform für das spätere GaN-Wachstum und die fortschrittliche Gerätefertigung.
- Substratoptionen — Saphir, Silizium oder SiC
- GaN-Epilayer-Leitung — N-Typ (Si-dotiert), P-Typ (Mg-dotiert) und halb-isolierend (Fe-dotiert)
- Epi-Dicke — 1μm bis 100μm (anpassbar)
- Kristalline Qualität — Dislokationsdichte <1×10⁸cm⁻² (auf Saphir)
- Erweiterte Materialoptionen — AlGaN-Vorlage, InGaN-Vorlage
- Oberflächenbeschichtung — Epi-ready
- Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt
Detaillierte Spezifikationen
Spezifikationen nach Wafer-Typ.
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Exportkontrollmitteilung
Der Export dieses Produkts wird vom Handelsministerium der VR China (MOFCOM) reguliert. Vor dem Versand muss eine Exportlizenz eingeholt werden.
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Anwendungen
Wo dieser Wafer Wert liefert
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RF & Kommunikation
GaN-Templates sind ideal für Hochfrequenz-RF-Frontend-Module, 5G/6G-Infrastruktur und mmWave-Leistungsverstärker, die hohe Elektronenmobilität und thermische Stabilität erfordern.
03
Optoelektronik & Mikro-LED
Anwendung im epitaxischen Wachstum von blauen und grünen LED-Emittern, Laserdioden (LDs) und der nächsten Generation von Micro-LED-Displays. Ermöglicht fortschrittliche InGaN/GaN MQW-Strukturen für hocheffiziente Lichtstrahlung.
04
UV & Sensing
Für die Herstellung von UVC/UVA-Photodetektoren, solarblinden UV-Sensoren und chemischen/biosensorischen Geräten, die eine hohe Kristallqualität und eine geringe Defektdichte erfordern.
FAQ
Häufige Fragen zu diesem Produkt
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
Ja. GaN-Templates sind in erster Linie als epi-reife Plattformen für eine nachfolgende GaN- oder verwandte III-Nitrid-Epitaxie konzipiert, was dazu beiträgt, den Wachstumsprozess zu vereinfachen und eine kontrollierte kristalline Oberfläche bereitzustellen.
Ja. Zusätzlich zu GaN-Vorlagen kann PWG AlGaN- und InGaN-Vorlagen für Anwendungen bereitstellen, die Bandgap-Engineering erfordern, insbesondere für fortschrittliche UV-, sichtbare Licht- und andere optoelektronische Geräte.
Eine GaN-Vorlage besteht aus einer dünnen GaN-Epitaxialschicht, die auf einem fremden Substrat (z. B. Saphir oder Si) gewachsen ist und eine kosteneffiziente Plattform für das Gerätewachstum bietet. Ein freistehendes GaN-Substrat ist ein Bulk-GaN-Wafer, bei dem das fremde Substrat entfernt wurde, was die höchste kristalline Qualität und thermische Leistung für hochwertige Geräte bietet.
Ja. PWG ist forschungs- und entwicklungsfreundlich mit flexiblem MOQ für Prototyping. Wir unterstützen eine schnelle Anpassung von Epi-Dicke, Doping und Substrattypen, um Ihren Geräteanforderungen gerecht zu werden.
Freistehendes GaN-Substrat
Freistehende (FS) GaN-Substrate sind native GaN-Wafer, die fremde Substrate (Saphir/Silizium) eliminieren. Mit einer ultraniedrigen Versetzungsdichte und hoher kristalliner Qualität bietet er die ultimative Plattform für leistungsstarke Laserdioden, Mikro-LEDs und RF-Bauelemente.
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GaN LED-Epitaxie
Die GaN-LED-Epitaxialwafer von PWG sind MOCVD-gezüchtete AlGaN/InGaN-Heterostrukturen, die für hocheffiziente UV-, blaue und grüne LEDs entwickelt wurden. Mit präzisen Multi-Quanten-Well-(MQW)-Strukturen liefern diese Epi-Wafer eine hohe interne Quanteneffizienz (IQE), gleichmäßige Emission und überlegene Zuverlässigkeit der Geräte.
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GaN HEMT Epitaxie
Präzisionsgezüchtete AlGaN/GaN HEMT-Strukturen für Hochfrequenz-HF- und Hochleistungsschaltung. Mit fehlerarmen Puffern und hochdichten 2DEG-Kanälen für eine bessere Geräteleistung.
Details anzeigenTechnische Untersuchung
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