Anbieter von Compound-Halbleiterwafern und Epitaxie | Power Wafertech Group

ÜBER DIE POWER WAFERTECH GROUP
Präzisionskonstruierte Wafer
Power Wafertech Group (PWG) ist ein Vollkreislauf-Materialhersteller von Verbindungshalbleitersubstraten und epitaxischen Wafers, darunter SiC, GaN, InP, GaAs, GaSb und InSb. Wir steuern die Kernprozesse – vom Kristallwachstum und der Substratherstellung bis hin zur epitaxischen Ablagerung – und gewährleisten die Sicherheit der Lieferkette sowie eine strikte Materialkonsistenz.

Wir unterstützen globale Kunden mit strikter Spezifikationseinhaltung, vollständiger Chargenrückverfolgbarkeit und schnellem Ingenieur-zu-Ingenieur-Support. Von F&E-Prototyping bis hin zur Wiederholungsproduktion liefern wir dokumentierte, hochwertige Materialien für Ihre Geräteprogramme.
Entdecken Sie unseren ingenieurtechnischen Ansatz
25+
Jahre Branchenerfahrung
Branchenerfahrung
500+
Bediente Kunden
Kundenprogramme bedient
4
Produktionsstätten
Fertigungsnetzwerk
QA
Qualitätsdokumentation
Umfang bestätigt per Anfrage
PRODUKTPORTFOLIO
Substrate und epitaxische Wafers
Drei fokussierte Produktfamilien: Standard- und kundenspezifische Substrate, epitaktische Wafer und Spezialkonfigurationen für anspruchsvolle Geräteprogramme.
Substratwafer
Mangelarme Substrate für anspruchsvolle Bauteilfertigung.
MATERIALIEN
SiC · GaN · AlN · GaAs · InP · GaSb · InSb · Silizium
ANWENDUNGEN
Leistungsgeräte · RF · Photonik · Sensoren
Epitaxiale Wafers
Präzises epitaxisches Wachstum mit enger Dicke und Dopingkontrolle.
BAUWERKE
SiC-basiert · GaN-basiert · GaAs-basiert · InP-basiert · GaSb-basiert
PROGRAMMUNTERSTÜTZUNG
MOCVD / MBE · Schnellprototyping · Massenproduktion
Maßgeschneiderte und Spezialwafer
Maßgeschneiderte Wafer für nicht-standardisierte Spezifikationen und spezialisierte Geräteprogramme.
VERARBEITUNGSKAPAZITÄTEN
Polieren · Wafer-Würfeln · Ausdünnung · Beschichtung
INDIVIDUELLE SPEZIFIKATIONEN
Nicht-standardisierte Größen · Benutzerdefinierte Strukturen
SUCHEN NACH ANWENDUNG
Anwendungen & Branchen
Entwickelte Materialien, die auf Ihre Spannungs-, Wärme- und Fertigungsanforderungen zugeschnitten sind.
AUSGEWÄHLTE ANWENDUNG
Leistungselektronik
Optimiert für Hochspannungs- und hocheffiziente Stromgeräte. Unterstützung für anspruchsvolle Anwendungen wie EV-Antriebsstränge, Wechselrichter für erneuerbare Energien und KI-Stromversorgungen für Rechenzentren.
EMPFOHLENE LÖSUNGEN
SiC · GaN
Entdecken Sie Stromlösungen
WARUM POWER WAFERTECH
Mehr als nur ein Waferlieferant
Von individueller Spezifikation bis zur Wiederholungsproduktion. Wir bieten die technische Zusammenarbeit und Lieferkettensicherheit, die Ihr Programm benötigt.
01
Ingenieursgesteuerte Anpassung
Maßgeschneiderte Materialien, die auf Ihre Gerätespezifikationen zugeschnitten sind. Wir definieren präzise Parameter – Maße, Ausrichtung und Oberflächenfinish – um genau Ihren Anwendungsanforderungen gerecht zu werden.
02
Entwicklungs-zu-Produktions-Unterstützung
Nahtloser Skalierungsprozess von F&E zur Massenproduktion. Diese Lücke wird mit schnellem Prototyping, flexiblen Stückzahlen und sicherer Wiederholungsproduktion geschlossen.
03
Kontrollierte Qualität und Rückverfolgbarkeit
100% In-Process-Inspektion mit vollständiger Chargen-Rückverfolgbarkeit. Strenge Prozesssteuerung und dokumentierte Testdaten gewährleisten eine gleichbleibende Qualität sowie eine sichere, langfristige Versorgung.
QUALITÄT UND PROGRAMMUNTERSTÜTZUNG
Eingebaute Qualität. End-to-End-Engineering-Unterstützung.
Qualität ist in jeder Phase verankert – von der Auswahl eingehender Materialien und der SPC-Prozesssteuerung bis hin zur finalen Prüfung. Wir bieten vollständige Dokumentation, strikte Spezifikationseinhaltung und reaktionsschnellen Support von Ingenieur zu Ingenieur, um einen nahtlosen Übergang vom Prototyp zur Massenproduktion zu gewährleisten.
ISO 9001 zertifizierte Qualitätsprozesse
Chargenrückverfolgbarkeit & CoC
Vollständige Testberichte & CoA
Schneller Ingenieur-zu-Ingenieur-Support
Sprich mit einem Ingenieur
VERTRAUENSWÜRDIGE ZUSAMMENARBEIT
Unterstützung von Industrie, Forschung und aufkommenden Technologien
Beschleunigung der Materialinnovation von der Forschung und Entwicklung zur Massenproduktion. Partnerschaft mit Branchenführern und Forschungseinrichtungen bei maßgeschneiderten Wafern, spezialisierter Fertigung und sicherer Volumenversorgung.
BRANCHENPROGRAMME
Skalierbar vom Prototyp bis zur Massenproduktion
Halbleiterhersteller mit maßgeschneiderten Spezifikationen, schnellem Prototyping und sicheren, volumenreichen Lieferketten zu befähigen.
FORSCHUNGSZUSAMMENARBEIT
Maßgeschneiderte Materialien für spezialisierte Forschung
Zusammenarbeit mit führenden Forschungsinstituten bei neuartigen Materialbewertungen, maßgeschneiderter Epitaxie und nicht-standardisierter Wafer-Herstellung, um wissenschaftliche Durchbrüche zu beschleunigen.
AUFKOMMENDE TECHNOLOGIEPROJEKTE
Flexible Unterstützung für Programme in der Frühphase
Bereitstellung flexibler Pilotläufe mit geringem Volumen, schnelles Prototyping und fachkundige technische Beratung für vertrauliche Programme unter strengem NDA-Schutz.
Kollaborationsnetzwerk
Vertrauen bei globalen Branchenführern und erstklassigen Forschungseinrichtungen.
RESEARCH NETWORK
MATERIALS PARTNER
DEVICE PROGRAM
TECH COLLABORATION
GLOBAL SERVICE
RESEARCH NETWORK
MATERIALS PARTNER
DEVICE PROGRAM
TECH COLLABORATION
GLOBAL SERVICE
NACHRICHTEN & EINBLICKE
Neueste Informationen von Power Wafertech
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Der 8-Zoll-SiC-Wendepunkt: Was 2026 für Substrat- und Epitaxie-Käufer bedeutet
8-Zoll-SiC-Substrate bewegen sich vom Pilot- zu Mainstream-Substraten. Entdecken Sie die Auswirkungen auf Angebot, Preise und Epitaxie für Hersteller von Stromgeräten im Jahr 2026.
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Technische Erkenntnisse
2026-10-23 17:24:21
InP HEMT Epitaksiale Wafer: Geringes Rauschen und individuelles Wachstum
Die Dicke der Spacer-Schicht beeinflusst das kryogene Rauschen in InP-HEMTs stark, mit einem optimierten Wertausgleich für Mobilität, Gate-Steuerung und Realraumübertragung. Deckschicht-Dotierung und Stabilität müssen ebenfalls gemeinsam mit Metallisierungs- und Lift-off-Prozessen gestaltet werden, um den Kontaktwiderstand niedrig zu halten.

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