PRODUKTZENTRUM

Finde den richtigen Wafer für dein Programm.

Entdecken Sie Standard-Compound-Halbleiterwafer nach Materialfamilie, Spezifikation und Anwendung – oder nehmen Sie Kontakt zu unserem Team für individuelle Parameter und nachgelagerte Verarbeitung auf.

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Produktsuche & Klassifizierung

Fang mit dem Material an. Verfeinere nach Spezifikation.

Baue einen klaren Weg von der Materialfamilie zu einer produktionsreifen Wafer-Spezifikation.

III-V-Halbleiter-Epitaxialwafer

PWG bietet epitaxische Lösungen auf Basis von InP-, GaSb- und GaAs-Substraten an, die Heterostrukturen für HEMTs, pHEMTs, HBTs, Laserdioden, Photodetektoren, VCSELs, Infrarotdetektoren und andere III-V-Geräte abdecken.

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DREI KERNPRODUKTFAMILIEN

Ein klares Portfolio für Standard- und Spezialprogramme.

Überprüfen Sie gängige Konfigurationen, typische Anwendungen und verfügbare Wege für weitere Spezifikationen.

FUNDAMENTMATERIALIEN

Weitbandlücke-Halbleiter

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KONSTRUIERTE SCHICHTEN

III-V-Verbundhalbleiter

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PROGRAMMSPEZIFISCH

Siliziummaterialien

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ANWENDUNGEN & BRANCHEN

Anwendungen & Branchen

GEHÄUSE 01 / HOCHSPANNUNGSSYSTEME

Leistungselektronik

Wide-Bandgap-Waferlösungen für effiziente Energieumwandlung, schnelles Schalten und zuverlässigen Hochtemperaturbetrieb.

ANWENDUNGSFOKUS

EV-Traktion · Schnellladen · Industriekraft

EMPFOHLENE PRODUKTE

4H-SiC-Substrat GaN-Epitaxie Custom SiC

GEHÄUSE 02 / OPTISCHE SYSTEME

Photonik & LED

Substrate in optischer Qualität für hohe Helligkeit, effiziente Lichtabnahme und stabile photonische Integration.

ANWENDUNGSFOKUS

LED · Laserdioden · Optische Kommunikation

EMPFOHLENE PRODUKTE

GaN-on-Sapphire InP-Substrat Germanium

CASE 03 / PRECISION SYSTEMS

Sensoren & MEMS

Konstante Dicke und Flachheit für präzise Musterung, bewegliche Strukturen und zuverlässige Sensoren.

ANWENDUNGSFOKUS

MEMS-Sensorik · Instrumentierung · raue Umgebungen

EMPFOHLENE PRODUKTE

Silizium mit hohem Widerstand SOI-Wafers Glaswafern

CASE 04 / HOCHFREQUENZSYSTEME

RF & Kommunikation

Materialplattformen für stabile Hochfrequenzleistung, verlustarme Signalübertragung und wiederholbare HF-Gerätefertigung.

ANWENDUNGSFOKUS

5G-Frontenden · Satellitenverbindungen · HF-Leistungsbauelemente

EMPFOHLENE PRODUKTE

Halb-isolierende GaAs InP-Substrat Silizium mit hohem Widerstand

FALL 05 / AUFKOMMENDE SYSTEME

Forschung & aufkommende Technologien

Flexible Spezifikationsfenster für Frühphasen-Erkundung, neuartige Materialien und Prototyping mit geringem Volumen.

ANWENDUNGSFOKUS

Forschungslabore · Prototypen · Aufkommende Materialien

EMPFOHLENE PRODUKTE

Germanium Custom Wafer Forschungssilizium

ENGAGEMENT-PROZESS

Wie eine individuelle Anfrage voranschreitet

Reichen Sie Ihre programmspezifischen Anforderungen ein, und unsere Ingenieure führen sie von der Bewertung bis zu einem bestätigten Angebot weiter.

INDIVIDUELLE ENTWICKLUNG

Parameter jenseits der Standardliste

Individueller Durchmesser und Dicke

Ausrichtung & Ablagerung

Doping und Resistivität

Dünnschichten und Schichtstacks

Flächen- und Kantenprofil

Markierung und Verpackung

01Anforderungen einreichen

02Technische Überprüfung

03Spezifikationsausrichtung

04Angebot & Lieferzeit

Sprich mit einem Ingenieur

TECHNISCHE UNTERSUCHUNG

Sprich mit Ingenieuren über deine Wafer-Bedürfnisse

Teilen Sie Ihr Material, Ihre Maße, Spezifikationen, Anwendungs- oder Projektphase. Unser Team wird Ihre Anforderungen prüfen und innerhalb eines Werktages antworten.