01
InGaAs/InP
Hochgeschwindigkeits-Optische Empfänger, mmWave-HEMTs | Typische Struktur: PIN/APD-Detektor HEMT-Kanal | Schlüsseleigenschaften: Hohe Elektronenmobilitätsabsorption bei 1,3–1,55 μm
III-V-Halbleiter-Epitaxialwafer
III-V-Halbleiter-Epitaxialwafer
PWG bietet epitaxische Lösungen auf Basis von InP-, GaSb- und GaAs-Substraten an, die Heterostrukturen für HEMTs, pHEMTs, HBTs, Laserdioden, Photodetektoren, VCSELs, Infrarotdetektoren und andere III-V-Geräte abdecken.
- Substrat — InP, GaSb und GaAs
- Wachstumsmethode — MOCVD und MBE
- Technische Daten — Standard, Custom
- Epi-Typ — HEMT / pHEMT / HBT/ LD / VCSEL / Photodetektor / T2SL usw.
- Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt
Detaillierte Spezifikationen
Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.
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Anwendungen
Wo dieser Wafer Wert liefert
02
InGaAsP/InP
DFB-Laser, EMLs, Elektroabsorptionsmodulatoren (EAM), optische Verstärker | Typische Struktur: Mehrere Quantenbrunnenlaserstrukturen | Schlüsseleigenschaften: Direkte Bandlücke Abstellbare Wellenlänge
03
InAlAs/InGaAs/InP
Ultra-Hochgeschwindigkeits-HEMTs und HBTs | Typische Struktur: 2DEG-Heterostruktur | Wichtige Eigenschaften: Besserer Verstärkung Geringeres Rauschen Höhere Energieeffizienz
04
InAs/GaSb (Typ-II-Supergitter)
Hochleistungs-MWIR & LWIR Imaging | Typische Struktur: T2SL IR-Detektorstrukturen | Schlüsseleigenschaften: Breite spektrale Abdeckung (erweiterbar >14μm)
05
InGaAsSb/GaSb, AlGaAsSb/GaSb
Mid-IR-Laser für Gaserkennung | Typische Struktur: Quantenwell-Laserstrukturen | Schlüsseleigenschaften: Direkte Bandlücke, Mid-IR-Emission
06
GaSb-basierte thermophotovoltaische (TPV) Strukturen
TPV-Zellen | Typische Struktur: PIN-Struktur | Schlüsseleigenschaften: Hocheffiziente Energieumwandlung
07
AlGaAs/GaAs
5G/6G RF-HEMTs, Near-IR-Laserdioden (LDs) | Typische Struktur: Quantenbrunnen, Heterostrukturen | Schlüsseleigenschaften: Hohe Elektronenmobilität Direkter Bandlücke
08
InGaP/GaAs
HF-Leistungsverstärker (HBTs) | Typische Struktur: HBT-Strukturen | Schlüsseleigenschaften: Hohe Durchschlagsspannung Hoher Wirkungsgrad
09
InGaAs/GaAs (Spannungsschicht)
mmWave-LNAs, Hochgeschwindigkeitsschalter | Typische Struktur: pHEMT-Strukturen | Schlüsseleigenschaften: Sehr hohe Elektronenmobilität und -geschwindigkeit
10
AlGaInP/GaAs
Hochhellige rote, gelbe und orangefarbene Leuchtdioden (LEDs) | Typische Struktur: Mehrere Quantenbrunnenstrukturen | Wichtige Eigenschaften: Direktes Bandlücke Rot-Gelb-Spektrum
11
Niedrigtemperatur-GaAs (LT-GaAs)
Terahertz-photoleitfähige Antennen, ultraschnelle Photodetektoren | Typische Struktur: Niedrigtemperatur-gewachsene GaAs-(LTG-GaAs)-Schicht | Wichtige Eigenschaften: Ultra-hoher Widerstand Ultra-schnelle Trägerlebensdauer
FAQ
Häufige Fragen zu diesem Produkt
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
Bitte geben Sie Substratmaterial, Waferdurchmesser, Kristallorientierung, Schichtstruktur, Schichtdicke, Zusammensetzung, Dopinganforderungen, Menge und Zielvorrichtung an.
Ja. Wenn Sie keine endgültige Schichtstruktur haben, kann unser technisches Team das Zielgerät, die Wellenlänge, die Frequenz oder die Leistungsanforderungen besprechen und eine geeignete epitaxiale Struktur empfehlen.
Ja. Wir können Schichtenzusammensetzung, Dicke, Doping, Quantenwell-Strukturen, Pufferschichten, Cap-Layers und Superlattice-Designs anpassen.
Technische Untersuchung
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