III-V Epi-Wafers | InP, GaAs, GaSb | Power Wafertech Group

III-V-Halbleiter-Epitaxialwafer

Präzisions-MOCVD/MBE-gezüchtete Heterostrukturen auf InP-, GaSb- und GaAs-Substraten. Entwickelt für Hochleistungs-HEMTs, pHEMTs, HBTs, Laserdioden, VCSELs und IR-Detektoren. Unterstützung maßgeschneiderter Epi-Strukturen von F&E bis zur Massenproduktion.

Substrat — InP, GaSb, GaAs
Wachstumsmethode — MOCVD, MBE
Epi-Typ — HEMT, pHEMT, HBT, LD, VCSEL, Photodetektor, T2SL
Anpassung — Schichtdicke, Dotierung und Mehrschicht-Stacks
Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Spezifikationen nach Wafer-Typ.

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Materialsystem	Typische Struktur	Schlüsseleigenschaften	Hauptanwendungen
InGaAs/InP	PIN/APD-Detektor HEMT Channel	Hohe Elektronenmobilität Absorption bei 1,3–1,55 μm	Hochgeschwindigkeits-optische Empfänger mmWave HEMTs
InGaAsP/InP	Mehrfache Quantenbrunnen-Laserstrukturen	Direkte Bandlücke Abstellbare Wellenlänge	DFB-Laser, EMLs Elektroabsorptionsmodulatoren (EAM) Optische Verstärker
InAlAs/InGaAs/InP	2DEG-Heterostruktur	Besserer Gewinn Geringeres Rauschen Höhere Energieeffizienz	Ultra-Hochgeschwindigkeits-HEMTs und HBTs
LT-InGaAs (Niedrige Temperatur InGaAs)	Niedrigtemperaturgewachsene InGaAs-Schicht	Ultrahoher Widerstand Lebensdauer des ultraschnellen Trägers	Terahertz-Photoleitantennen Ultraschnelle Photodetektoren

Exportkontrollmitteilung

Der Export dieses Produkts wird vom Handelsministerium der VR China (MOFCOM) reguliert. Vor dem Versand muss eine Exportlizenz eingeholt werden. Kontaktieren Sie unser Compliance-Team für weitere Informationen.

Materialsystem	Typische Struktur	Schlüsseleigenschaften	Hauptanwendungen
InAs/GaSb (Typ-II-Supergitter)	T2SL IR-Detektorstrukturen	Breitspektralabdeckung (ausziehbar >14μm)	Hochleistungs-MWIR & LWIR-Bildgebung
InGaAsSb/GaSb AlGaAsSb/GaSb	Quantenwell-Laserstrukturen	Direkte Bandlücke Mittel-IR-Emission	Mid-IR-Laser fürGaserkennung
GaSb-basierte thermophotovoltaische (TPV) Strukturen	PIN-Struktur	Hocheffiziente Energieumwandlung	TPV-Zellen

Exportkontrollmitteilung

Materialsystem	Typische Struktur	Schlüsseleigenschaften	Hauptanwendungen
AlGaAs/GaAs	Quantenquellen, Heterostrukturen	Hohe Elektronenmobilität Direkte Bandlücke	5G/6G RF-HEMTs Near-IR-Laserdioden (LDs)
InGaP/GaAs	HBT-Strukturen	Hohe Durchschlagsspannung Hohe Effizienz	HF-Leistungsverstärker (HBTs)
InGaAs/GaAs (Spannschicht)	pHEMT-Strukturen	Sehr hohe Elektronenmobilität und -geschwindigkeit	mmWave-LNAs Hochgeschwindigkeitsschalter
AlGaInP/GaAs	Mehrere Quantenbrunnenstrukturen	Direkte Bandlücke Rot-Gelb-Spektrum	Hohe HelligkeitRote, gelbe, orangefarbene LEDs
LT-GaAs (Niedrige Temperatur GaAs)	Niedrigtemperaturgewachsene GaAs (LTG-GaAs)-Schicht	Ultrahoher Widerstand Lebensdauer des ultraschnellen Trägers	Terahertz-Photoleitantennen Ultraschnelle Photodetektoren

Exportkontrollmitteilung

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

InP-basierte epitaxiale Wafers

InP-Epitaxialwafer sind für Hochgeschwindigkeits-optische Kommunikation und HF-Geräte konstruiert und unterstützen 1,3–1,55 μm optische Kommunikation, DFB/EML-Laser, PIN/APD-Photodetektoren und mmWave HEMT/HBT-Anwendungen.

Epi-Wafers auf Basis von GaSb

GaSb-Epi-Wafer sind speziell für die Erkennung und Bildgebung von Mittelwellen- und Langwellen-Infrarot (MWIR/LWIR) ausgelegt. Mit Typ-II-Supergitterstrukturen (T2SL) ermöglichen sie leistungsstarke T2SL-Detektoren und Gassensorsysteme.

Epitaxiale Wafers auf Basis von GaAs

GaAs-Epitaxialwafer bedienen 5G/6G-RF-Frontends, Nahinfrarotlaser und hochhellige LEDs. Typische Anwendungen sind 5G/6G pHEMT/HBT-Bauelemente, VCSEL/Near-IR-Laserdioden, rote/gelbe LEDs und photoleitfähige Schalter.

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Welche Informationen werden für ein Epiwafer-Zitat benötigt?

Bitte geben Sie den Waferdurchmesser, die Kristallausrichtung, die Schichtstruktur, die Schichtdicke, die Dopinganforderungen, die Menge und die Anwendungsbereiche des Zielgeräts an.

Können Sie eine Epi-Struktur basierend auf unseren Geräteanforderungen entwickeln?

Ja. Wenn Sie keine endgültige Schichtstruktur haben, wird unser technisches Team Ihr Zielgerät, Ihre Wellenlänge, Frequenz oder Leistungsanforderungen besprechen und eine geeignete epitaktische Struktur empfehlen.

Können Sie maßgeschneiderte epitaxiale Strukturen bereitstellen?

Ja. Wir unterstützen eine vollständige Anpassung von Schichtzusammensetzung, Dicke, Doping, Quantenbrunnenstrukturen, Pufferschichten, Kappschichten und Supergitter-Designs.

Technische Untersuchung

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