AlN-Vorlage
AlN auf der Silizium-Schablone
AlN auf Silizium-Vorlagen bietet eine hochwertige Schnittstelle und eine Pufferplattform für die nachfolgende GaN-Epitaxie und unterstützt die Entwicklung von leistungsstarken GaN-Strom- und HF-Geräten.
PRODUKTZENTRUM
Finde den richtigen Wafer für dein Programm.
Entdecken Sie unsere Standard-Verbindungshalbleitersubstrate und Epi-Wafers – oder arbeiten Sie mit unseren Ingenieuren für individuelle Spezifikationen zusammen.
Produktsuche & Klassifizierung
Suche nach Material. Verfeinern Sie nach Spezifikation.
Finden Sie schnell Standard-Verbindungshalbleiterwafer oder fordern Sie eine individuelle Spezifikation für Ihr Geräteprogramm an.
AlN-Vorlage
AlN über die Saphirvorlage
Saphirbasierte AlN-Vorlagen sind in verschiedenen Wafergrößen und anpassbaren AlN-Dicken und -Ausrichtungen erhältlich; AlN-auf-Saphir-Vorlagen mit hoher kristalliner Qualität und niedriger Fehlerdichte eignen sich sowohl für Forschung & Entwicklung als auch für die Entwicklung von Geräteproduktionen.
Keine passenden Produkte gefunden.
DREI KERNMATERIALFAMILIEN
Entwickelte Materialien für Ihre Geräte-Roadmap
Durchsuchen Sie Substrate und Epi-Wafer nach Materialfamilie. Standardkonfigurationen und individuelle Spezifikationen sind für Forschung und Entwicklung sowie Massenproduktion verfügbar.
01
KONSTRUIERTE MATERIALIEN
III-V-Verbundhalbleiter
02
FUNDAMENTMATERIALIEN
Weitbandlücke-Halbleiter
03
PROGRAMMSPEZIFISCH
Siliziummaterialien
ANWENDUNGEN & BRANCHEN
Anwendungen & Branchen
GEHÄUSE 01 / HOCHSPANNUNGSSYSTEME
Leistungselektronik
Wide-Bandgap-Waferlösungen, entwickelt für 800V+-Architekturen. Sicherstellung einer hocheffizienten Energieumwandlung, schnellem Schalten und zuverlässigem Betrieb bei hohen Temperaturen.
ANWENDUNGSFOKUS
EV-Antriebsstränge · Schnellladen · Industrielle Motorantriebe
EMPFOHLENE PRODUKTE
4H-SiC
GaN
ENGAGEMENT-PROZESS
Wie eine individuelle Anfrage voranschreitet
Reichen Sie Ihre programmspezifischen Anforderungen ein, und unsere Ingenieure führen sie von der Bewertung bis zu einem bestätigten Angebot weiter.
INDIVIDUELLE ENTWICKLUNG
Parameter jenseits der Standardliste
Individueller Durchmesser und Dicke
Ausrichtung & Ablagerung
Doping und Resistivität
Dünnschichten und Schichtstacks
Flächen- und Kantenprofil
Markierung und Verpackung
01Anforderungen einreichen
02Technische Überprüfung
03Spezifikationsausrichtung
04Angebot & Lieferzeit
TECHNISCHE UNTERSUCHUNG
Sprich mit Ingenieuren über deine Wafer-Bedürfnisse
Teilen Sie Ihr Material, Ihre Maße, Spezifikationen, Anwendungs- oder Projektphase. Unser Team wird Ihre Anforderungen prüfen und innerhalb eines Werktages antworten.
Ingenieursgesteuerte Reaktion
Anfragen werden an das zuständige technische oder kommerzielle Team weitergeleitet.
Adresse
Nr. 1389, Lianmei Road, Lianhua Industriezone, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
Telefon
