01
Tief-UV-LEDs
AlN-on-saphir-Templates werden häufig als Ausgangsplattform für AlGaN-basierte UVC-LEDs verwendet, insbesondere für UV-Emissionen im Bereich von etwa 200–280 nm.
AlN-Vorlage
AlN über die Saphirvorlage
Saphirbasierte AlN-Vorlagen sind in verschiedenen Wafergrößen und anpassbaren AlN-Dicken und -Ausrichtungen erhältlich; AlN-auf-Saphir-Vorlagen mit hoher kristalliner Qualität und niedriger Fehlerdichte eignen sich sowohl für Forschung & Entwicklung als auch für die Entwicklung von Geräteproduktionen.
- Substrat — C-Plane Sapphire (andere Ausrichtungen verfügbar)
- Größe — 2", 4", 6", anpassbar
- Epi-Dicke — 0,5~5μm
- Oberflächenbeschichtung — Epi-Ready
- XRD FWHM (0002) — typische <500 Bogensekunden
- Individuelle Spezifikation — Akzeptabel
- Paket — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt
Detaillierte Spezifikationen
Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.
Select a diameter to review the corresponding published specification set.
Anwendungen
Wo dieser Wafer Wert liefert
02
UV-Laserdioden
Geeignet als epitaxiale Vorlage für die Entwicklung von AlGaN-basierten UV-Laserdiodenstrukturen und anderen kurzwelligen optoelektronischen Bauelementen.
03
AlGaN / AlN Epitaxie
Dient als Vorlage für das spätere Wachstum von AlGaN, AlN und verwandten epitaxischen Strukturen mit breiter Bandlücke für Forschung und Geräteentwicklung.
04
GaN-basierte Geräte
AlN-on-saphir kann je nach Ziel-Epitaxial-Design auch als konstruierte Nukleations- oder Pufferplattform für ausgewählte GaN-basierte elektronische und RF-Strukturen verwendet werden.
FAQ
Häufige Fragen zu diesem Produkt
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
Die typische AlN-Filmdicke liegt zwischen 0,5 μm und 5 μm. Die Dicke kann je nach Zielstruktur des Epitaxis angepasst werden.
Ja. Die Templates sind mit einer epi-reifen, glatten Oberfläche ausgestattet, die für nachfolgende AlGaN-, AlN- und verwandte epitaxiale Schichten geeignet ist.
Ja. Unsere AlN-on-saphir-Vorlagen können als Ausgangsplattform für AlGaN-basierte UVC-LED- und andere DUV-Gerätestrukturen verwendet werden.
Ja. Kleine Mengen und maßgeschneiderte Spezifikationen können für Forschung und Prototypenentwicklung diskutiert werden.
Technische Untersuchung
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Ingenieursgesteuerte Reaktion
Anfragen werden an das zuständige technische oder kommerzielle Team weitergeleitet.
Adresse
Nr. 1389, Lianmei Road, Lianhua Industriezone, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
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