01
GaN Leistungselektronik
AlN-on-Silicon-Vorlagen können als Pufferplattform für GaN-on-Si-Stromgeräte verwendet werden, einschließlich GaN-HEMTs und hocheffizienten Schaltgeräten.
AlN-Vorlage
AlN auf der Silizium-Schablone
AlN auf Silizium-Vorlagen bietet eine hochwertige Schnittstelle und eine Pufferplattform für die nachfolgende GaN-Epitaxie und unterstützt die Entwicklung von leistungsstarken GaN-Strom- und HF-Geräten.
- Substrat — Silizium (100) oder (111)
- Größe — 4", 6", 8", anpassbar
- Epi-Dicke — 50nm~1μm
- Oberflächenbeschichtung — Epi-Ready
- XRD FWHM (0002) — Typischer ≤1050 Arcsec
- Individuelle Spezifikation — Akzeptabel
- Paket — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt
Detaillierte Spezifikationen
Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.
Select a diameter to review the corresponding published specification set.
* Typische Spezifikationen; Die tatsächlichen Werte können je nach Wafergröße, Substrat und Wachstumsbedingungen variieren.
Anwendungen
Wo dieser Wafer Wert liefert
02
GaN-RF-Geräte
AlN-auf-Silizium-Vorlagen können je nach epitaxischem Design auch ausgewählte GaN-RF- und Hochfrequenzbauelementstrukturen unterstützen. Typische Anwendungen sind:
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GaN HEMT Epitaxie
Die Vorlagen bieten eine kontrollierte AlN-Schnittstelle für das anschließende epitaxische Wachstum von GaN / AlGaN, was sie für Forschung und Entwicklung von GaN-HEMT-Strukturen geeignet macht.
FAQ
Häufige Fragen zu diesem Produkt
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
Die typische AlN-Dicke reicht von 50 nm bis 1 μm und kann entsprechend der epitaxischen GaN-Architektur angepasst werden.
Ja. Kleine Mengen und individuell angepasste Spezifikationen können für Forschungs- und Prototypenprojekte diskutiert werden.
Bitte geben Sie Waferdurchmesser, Siliziumorientierung, AlN-Dicke, Menge und Zielanwendung an. Anschließend können wir eine geeignete Spezifikation und ein Angebot empfehlen.
AlN über die Saphirvorlage
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Nr. 1389, Lianmei Road, Lianhua Industriezone, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
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