SiC-Wafers

SiC-Substrat

SiC-Substrat-Wafer für Leistungs-, HF-, optoelektronische und fortschrittliche Halbleiteranwendungen. Erhältlich in 4H-SiC, 6H-SiC und 3C-SiC, mit N-, P-Typ- und halbisolierenden Optionen, verschiedenen Wafergrößen, Dopingstufen und Oberflächenoberflächen.

Produkt anzeigen

SiC-Wafers

SiC-Epitaxie

Unsere SiC-Epitaxial-Wafer – angebaut durch CVD auf SiC-Substraten – bieten eine gut kontrollierte Einheitlichkeit und eine geringe Defektdichte und bilden eine zuverlässige Plattform für SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT und so weiter von 600V bis 10kV.

Produkt anzeigen

GaN-Wafers

GaN-Vorlage

Die GaN-Vorlagen von PWG bestehen aus einer hochkristallinen GaN-epitaxialen Schicht, die auf fremden Substraten gewachsen ist und ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung, Wärmemanagement und Kosteneffizienz bietet.

Produkt anzeigen

GaN-Wafers

GaN LED-Epitaxie

PWGs GaN LED-Epitaxialwafer sind fertigfertige Heterostrukturen, die von MOCVD gezüchtet werden und für eine hohe interne Quanteneffizienz (IQE), gleichmäßige Emission und robuste Leistung entwickelt wurden.

Produkt anzeigen

GaN-Wafers

GaN HEMT Epitaxie

GaN HEMT Epitaxialwafer sind präzisionsgezüchtete AlGaN/GaN-Heterostrukturen, die für Hochfrequenz- und Hochleistungsschaltgeräte entwickelt wurden.

Produkt anzeigen

GaN-Wafers

Freistehendes GaN-Substrat

Freistehende (FS) GaN-Substrate sind Bulk-GaN-Wafer, die die fremde Wachstumsvorlage (z. B. Saphir oder Silizium) eliminieren und eine native Plattform mit deutlich reduzierter Dislokationsdichte bieten. Dies ermöglicht eine verbesserte Geräteleistung, Zuverlässigkeit und Lebensdauer in anspruchsvollen Anwendungen

Produkt anzeigen