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Hochspannungs- und Niederwiderstands-Epi-Schichten für Elektrofahrzeugantriebe und Schnellladesysteme. Optimiert für 650V-1700V SiC-MOSFETs und JBS-Dioden, mit einer hohen Gleichmäßigkeit von ≤4 % und präzisen Dopingprofilen.
Zuverlässige Epi-Wafer, die für die Energieumwandlung in harten Umgebungen und schwere Maschinen entwickelt wurden. Entwickelt für leistungsstarke SiC-MOSFETs, SBDs und 1200V+-Leistungsmodule in Solarwechselströmern, Energiespeichern und Schienenverkehrssystemen.
Ermöglichen von ultra-niedrigen Switching-Verlust-Epi-Schichten für Hochdichte-Server-Netzteile (PSUs). Maßgeschneidert für Graben-MOSFETs und hocheffiziente Gleichrichter, die niedrige BPDs und minimale Oberflächenrauheit für maximale Energieeffizienz liefern.
Dicke epitaxiale Schichten für intelligente Netze der nächsten Generation und Energiespeichersysteme (ESS). Wir unterstützen 10 kV+ IGBTs, GTOs und PN-Übergänge mit unserer ultradicken Epi-Fähigkeit von 30 bis 200 μm.
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
Bei der Standard-4H-SiC-Homoepitaxie kann die Trägerkonzentration über etwa 1×10¹⁴ bis 1×10¹⁹ cm⁻³ kontrolliert werden. Das hängt vom Leitfähigkeitstyp (N-Typ oder P-Typ) und deinem spezifischen Epi-Design ab.
Bei der Standard-4H-SiC-Homoepitakie kann die Dickengleichmäßigkeit auf etwa ≤10 % kontrolliert werden. Bei ausgewählten P-Typ-SiC-Epi-Strukturen kann die Gleichmäßigkeit ≤4 % erreichen. Die tatsächliche Leistung hängt von Wafergröße, Epi-Dicke und Struktur ab.
Ja. PWG kann benutzerdefinierte mehrschichtige epitaxiale Strukturen entwickeln, darunter Pufferschichten, Stromverteilungsschichten, Kanalschichten, Barriereschichten und andere gerätespezifische Strukturen.
Ja. Wir bieten 30–200 μm dicke SiC-Epitaxialschichten für Ultrahochspannungsanwendungen (bis zu 10 kV+) an. Dicke, Dotierungskonzentration und Gleichmäßigkeit werden entsprechend Ihrer Zieldurchschlagsspannung optimiert.
Wir implementieren eine strenge Epi-Prozesskontrolle, um Basalebenen-Dislokationen (BPDs) und Stacking-Fehler (SFs) zu minimieren. Die typische Fehlerdichte wird auf branchenführendem Niveau gehalten, um eine hohe Geräteausbeute und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Vollständige Kartendaten sind auf Anfrage verfügbar.
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