SiC-Wafers

SiC-Epitaxie

Unsere SiC-Epitaxial-Wafer – angebaut durch CVD auf SiC-Substraten – bieten eine gut kontrollierte Einheitlichkeit und eine geringe Defektdichte und bilden eine zuverlässige Plattform für SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT und so weiter von 600V bis 10kV.

Polytypen — 4H-SiC (Homoepitaxie) / 3C-SiC (Homo- und Heteroepitaxie)
Leitfähigkeit — N-Typ, P-Typ, Halb-isolierend
Durchmesser — 2″, 4″, 6″, 8″
Dickenbereich — 0,5 – 200μm (anpassbar)
Struktur — Individuelle Mehrschichtstrukturen, Pufferschichten und präzise Dopingprofile
Dicke epitaxiale Schicht — bietet einen 30~200μm dicken epitaxischen Wachstumsservice für Ultrahochspannungsbauelemente, was eine gute Gleichmäßigkeit und Kristallqualität gewährleistet.

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

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Gegenstand	4H-SiC Epi-Wafer
Durchmesser	2”, 4”, 6”, 8”
Substrat	Substrat
Ausrichtung	On-axis, off-axis
Leitfähigkeit	N-Typ
Widerstand	0,015- 0,028Ω·cm
Oberflächenrauheit	≤0,2 nm
MPD	≤1cm⁻²
Epi	Epi
Leitfähigkeit	N-Typ
Dickenbereich	0,5~200um (Anpassbar)
Dickengleichmäßigkeit	≤10%
Ladungsträgerkonzentration	1E14~1E19cm-3
Trägergleichmäßigkeit	≤20%

Gegenstand	P-Typ 4H-SiC-basierter epitaxischer Wafer
Durchmesser	4”
Substrat	Substrat
Ausrichtung	Off-axis
Leitfähigkeit	P-Typ
Widerstand	≤0,3Ω·cm
Oberflächenrauheit	≤0,5 nm
MPD	≤0,1 cm⁻²
Epi	Epi
Leitfähigkeit	N-Typ
Dickenbereich	5~100um (Anpassbar)
Dickengleichmäßigkeit	≤4%
Ladungsträgerkonzentration	1E15~5E16cm-3
Trägergleichmäßigkeit	≤ 10%

Gegenstand	3C-SiC-Homoepiepitaxie
Durchmesser	2”
Substrat	Substrat
Ausrichtung	Auf der Achse
Leitfähigkeit	N-Typ
Widerstand	≤1 mΩ·cm
Oberflächenrauheit	≤0,5 nm
MPD	≤0,1 cm⁻²
Epi	Epi
Leitfähigkeit	N-Typ
Dickenbereich	5~100um (Anpassbar)
Dickengleichmäßigkeit	≤4%
Ladungsträgerkonzentration	1E15~5E16cm-3
Trägergleichmäßigkeit	≤ 10%

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Welche Trägerkonzentration kann erreicht werden?

Bei der Standard-4H-SiC-Homoepitakie kann die Ladungsträgerkonzentration je nach Leitfähigkeitstyp und Epi-Design über etwa 1×10¹⁹ cm×⁻³ kontrolliert werden.

Wie ist die typische Dickengleichmäßigkeit von SiC-Epitaxialschichten?

Bei der Standard-4H-SiC-Homoepitakie kann die Dickengleichmäßigkeit auf etwa ≤10 % kontrolliert werden. Bei ausgewählten P-Typ-SiC-Epi-Strukturen kann die Gleichmäßigkeit ≤4 % erreichen. Die tatsächliche Leistung hängt von Wafergröße, Epi-Dicke und Struktur ab.

Kannst du mehrschichtige oder komplexe SiC-Epi-Strukturen bereitstellen?

Ja. PWG kann benutzerdefinierte mehrschichtige epitaxiale Strukturen entwickeln, darunter Pufferschichten, Stromverteilungsschichten, Kanalschichten, Barriereschichten und andere gerätespezifische Strukturen.

Können Sie eine dicke SiC-Epitaxie für Hochspannungsgeräte bereitstellen?

Ja. 30–200 μm dicke SiC-Epitaxialschichten können für Ultrahochspannungsanwendungen entwickelt werden. Dicke, Dotierungskonzentration und Gleichmäßigkeit können entsprechend der Zieldurchschlagsspannung optimiert werden.

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