SiC-Wafers

SiC-Substrat

SiC-Substrat-Wafer für Leistungs-, HF-, optoelektronische und fortschrittliche Halbleiteranwendungen. Erhältlich in 4H-SiC, 6H-SiC und 3C-SiC, mit N-, P-Typ- und halbisolierenden Optionen, verschiedenen Wafergrößen, Dopingstufen und Oberflächenoberflächen.

Polytypen — 4H-SiC · 6H-SiC · 3C-SiC
Leitfähigkeit — N-Typ · P-Typ · Halbisolierend
Dopingoptionen — N-dotiert · Al-gedopt · V-gedrückt
Größen — 2″ · 3″ · 4″ · 6″· 8″· 12″
Oberfläche — SSP · DSP · Epi-ready
Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

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Parameter	8"/200mm 4H-SiC-Substrat
Polytyp	4H
Durchmesser	200±0,2 mm
Dicke	350±25μm, 500±25μm
Ausrichtung	4° Richtung (11-20) ±0,5°
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Stickstoff (N)
Widerstand	0,015~0,03Ω·cm
MPD	≤2ea/cm² (A-Klasse); ≤10ea/cm² (B-Klasse); ≤50ea/cm² (C-Qualität)
TTV	≤10μm (A-Klasse); ≤15μm (B-Klasse); ≤20μm (C-Qualität)
Bogen	-25~25μm (A-Klasse); -45~45μm (B-Klasse); -65~65μm (C-Klasse)
Warp	≤35μm (A-Klasse); ≤50μm (B-Klasse); ≤70μm (C-Qualität)
Oberflächenrauheit	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm C-face optischer Politur
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Verpackung	Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	6"/150mm 4H-SiC-Substrat
Polytyp	4H
Durchmesser	150 ± 0,5 mm
Dicke	350±25μm, 500±25μm
Ausrichtung	4° Richtung (11-20) ±0,5°
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Stickstoff (N)
Widerstand	0,015 – 0,028Ω·cm
MPD	≤0,5 cm⁻²
TTV
Bogen
Warp
Oberflächenrauheit	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm C-face optischer Politur
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Verpackung	Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	4"/100 mm SiC-Substrat
Polytyp	4H
Dicke	330 – 650μm
Ausrichtung	4° Richtung (11-20) ±0,5°
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Stickstoff (N)
Widerstand	0,015–0,028Ω·cm
MPD (A-Grade)	≤ 0,5 cm⁻²
TTV
Bogen
Warp
Oberflächenrauheit	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm C-face optischer Politur
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Verpackung	Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

Leistungselektronik

SiC-Substrate dienen als ideale Plattform für epitaxisches Wachstum und ermöglichen die Herstellung von Hochleistungs-Schottky-Dioden (SBDs), MOSFETs und IGBTs. Diese Geräte werden weit verbreitet in neuen Energiefahrzeugen, im Schienenverkehr, in Smart Grids und industriellen Motorantrieben eingesetzt und bieten überlegene Effizienz und Zuverlässigkeit.

HF- und Mikrowellengeräte

Halb-isolierende 4H-SiC-Wafer sind das bevorzugte Substrat für GaN-Hochelektronenmobilitätstransistoren (HEMTs) und bieten eine hervorragende Hochfrequenzleistung für 5G-Basisstationen, Radarsysteme und Satellitenkommunikation.

Aufkommende AR/MR-Anwendungen

Mit seinem hohen Brechungsindex und hervorragenden optischen Eigenschaften entwickelt sich SiC zu einem vielversprechenden Material für photonische integrierte Schaltkreise und optische Wellenleiter. Dies macht 4H-SiC-Wafer zu einem idealen Substrat für AR-Gläser der nächsten Generation und Mixed-Reality-Displays und ermöglicht kompakte, hocheffiziente, wellenleiterbasierte optische Systeme.

Extremumgebungselektronik

Dank ihrer hohen Temperaturbeständigkeit und Strahlungshärte eignen sich SiC-basierte Bauteile ideal für Anwendungen in rauen Umgebungen, darunter Luft- und Raumfahrtsysteme, Tiefbohrsensoren und andere kritische elektronische Systeme.

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Welche Arten von SiC-Substratwafern bietet PWG an?

Power Wafertech Group liefert 4H-SiC, 6H-SiC und 3C-SiC Substratwafer. Je nach Anwendung bieten wir N-Typ-, P-Typ- und halbisolierende SiC-Substrate mit unterschiedlichen Dopingstufen und elektrischen Eigenschaften an.

Was ist der Unterschied zwischen N-Typ-, P-Typ- und halb-isolierenden SiC-Wafern?

N-Typ SiC: Typischerweise stickstoffdotiert und ausgiebig für Substrate für Leistungsgeräte und epitaxisches Wachstum verwendet. P-Typ SiC: Typischerweise aluminiumdotiert und geeignet für PN-Übergänge, bipolare Bauelemente und spezialisierte Bauelementstrukturen. Halb-isolierendes SiC: Typischerweise mit Vanadium dotiert und für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, insbesondere als Substrat für GaN HEMT-Epitaxie.

Welches MPD-Level können Ihre SiC-Substrate erreichen?

Unsere SiC-Substrate sind mit unterschiedlichen Micropipe Density (MPD)-Spezifikationen erhältlich, abhängig von Wafergröße und -qualität. Für ausgewählte 4H-SiC-Substrate kann MPD so niedrig wie ≤0,1 cm⁻² sein, während 6" und 8" Produkte mit Spezifikationen erhältlich sind, die auf Qualität und Anwendung zugeschnitten sind.

Bieten Sie SiC-Waferverarbeitungsdienste an?

Ja. Neben blanken Substraten können wir das Würfeln, Schleifen, Verdünnen, CMP-Polieren, Backside-Verarbeitung/Metallisierung, Kristallbindung und Ionenimplantation je nach Projektanforderungen unterstützen.

Technische Untersuchung

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