SiC-Wafers

SiC-Substrat

Premium-SiC-Substrat-Wafer für Strom-, HF- und optoelektronische Bauelemente. Erhältlich in 4H-, 6H- und 3C-Polytypen mit N-, P-Typ- und halbdämmenden Optionen. Angeboten in 2"–12"-Größen mit Epi-fertigen Oberflächen für die fortschrittliche Halbleiterfertigung.

Polytypen — 4H-SiC · 6H-SiC · 3C-SiC
Leitfähigkeit — N-Typ · P-Typ · Halbisolierend
Dopingoptionen — N-dotiert · Al-gedopt · V-gedrückt
Größen — 2″ · 3″ · 4″ · 6″· 8″· 12″
Oberfläche — SSP · DSP · Epi-ready
Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Spezifikationen nach Wafer-Typ.

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Parameter	8"/200mm 4H-SiC-Substrat
Polytyp	4H
Durchmesser	200±0,2 mm
Dicke	350±25μm, 500±25μm
Ausrichtung	4° Richtung (11-20) ±0,5°
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Stickstoff (N)
Widerstand	0,015~0,03Ω·cm
MPD	≤2ea/cm² (A-Klasse); ≤10ea/cm² (B-Klasse); ≤50ea/cm² (C-Qualität)
TTV	≤10μm (A-Klasse); ≤15μm (B-Klasse); ≤20μm (C-Qualität)
Bogen	-25~25μm (A-Klasse); -45~45μm (B-Klasse); -65~65μm (C-Klasse)
Warp	≤35μm (A-Klasse); ≤50μm (B-Klasse); ≤70μm (C-Qualität)
Oberflächenrauheit	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm; C-Face-optischer Politur
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Verpackung	Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	6"/150mm 4H-SiC-Substrat
Polytyp	4H	4H	4H
Durchmesser	150 ± 0,5 mm	145,5 ~ 150 mm	145,5 ~ 150 mm
Dicke	350±25μm, 500±25μm	350 ± 25μm	350 ± 25μm
Ausrichtung	4° Richtung (11-20) ±0,5°	4° Richtung (11-20) ±0,5°	2~4° Richtung (11-20) ±0,5°
Leitungstyp	N-Typ	Halbisolierend	P-Typ
Dopant	Stickstoff (N)	Vanadium (V)	Aluminium (Al)
Widerstand	0,015 – 0,028Ω·cm	≥1×10⁸Ω·cm	≤0,3Ω·cm
MPD	≤0,5 cm⁻²	≤1cm⁻²
TTV		≤5μm	≤5μm
Bogen		–25~25μm	≤15μm
Warp		≤35μm	≤30μm
Oberflächenrauheit	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm; C-Face-optischer Politur
Oberflächenfinish	SSP / DSP, Epi bereit
Verpackung	Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	4"/100 mm SiC-Substrat
Polytyp	4H	4H	4H	3C (kubisch)
Dicke	330 – 650μm	350 – 500μm	250 – 430μm	350±25μm
Ausrichtung	4° Richtung (11-20) ±0,5°	4° Richtung (11-20) ±0,5°	2~4° Richtung (11-20) ±0,5°	Auf der Achse (111) ±0,5°
Leitungstyp	N-Typ	Halbisolierend	P-Typ	N-Typ
Dopant	Stickstoff (N)	Vanadium (V)	Aluminium (Al)	Stickstoff (N)
Widerstand	0,015–0,028Ω·cm	> 1×10⁸Ω·cm	≤0,3Ω·cm	≤ 1 mΩ·cm
MPD (A-Grade)	≤ 0,5 cm⁻²	≤ 1cm⁻²	≤ 0,1 cm⁻²	≤ 0,1 cm⁻²
TTV			≤5μm	≤5μm
Bogen			≤15μm	≤15μm
Warp			≤30μm	≤30μm
Oberflächenrauheit	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm; C-Face-optischer Politur
Oberflächenfinish	SSP / DSP, Epi bereit
Verpackung	Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

Leistungselektronik

SiC-Substrate liefern eine hohe Durchschlagsspannung und geringe Schaltverluste, was effiziente Energiegeräte ermöglicht. Typische Bauelemente: SiC-MOSFETs, Schottky-Barrieredioden (SBDs) und IGBTs. Anwendungsbereiche: Elektrofahrzeugantriebe, Schnellladen, Smart Grids, industrielle Motorantriebe.

HF- und Mikrowellengeräte

Halb-isolierende 4H-SiC ist die bevorzugte Plattform für GaN-on-SiC-HEMTs. Seine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit sorgt für hohe Frequenzen. Anwendungen: 5G/6G-Basisstationen, Radarsysteme, Satellitenkommunikation.

Aufkommende AR/MR-Anwendungen

Hoher Brechungsindex und ausgezeichnete optische Eigenschaften. Ideal für photonische integrierte Schaltkreise (PICs) und optische Wellenleiter, was kompakte, hocheffiziente AR/MR-Displays ermöglicht.

Extremumgebungselektronik

Hochtemperaturbeständigkeit und Strahlungshärte (Rad-hart). Entwickelt für raue Umgebungen: Luft- und Raumfahrtsysteme, Tiefenbohrsensoren, nukleare Instrumentierung und kritische Verteidigungselektronik.

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Welche Arten von SiC-Substratwafern bietet PWG an?

PWG liefert hochwertige SiC-Substrate in 4H-, 6H- und 3C-Polytypen. Wir bieten N-Typ (N-dotiert), P-Typ (Al-doped) und halbisolierende (V-doped) Wafer mit epi-reifen Oberflächenoberflächen an, um Ihren spezifischen Geräteanforderungen gerecht zu werden.

Was ist der Unterschied zwischen N-Typ-, P-Typ- und halb-isolierenden SiC-Wafern?

N-Typ SiC: Typischerweise stickstoffdotiert, weit verbreitet für SiC-Antriebsgeräte und epitaxisches Wachstum. P-Typ SiC: Typischerweise aluminiumdotiert, geeignet für PN-Übergänge, bipolare Bauelemente und spezialisierte Bauelementstrukturen. Halb-isolierendes SiC: Typischerweise Vanadium-dotiert, für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, insbesondere als Substrat für GaN HEMT Epitaxie.

Welches MPD-Level können Ihre SiC-Substrate erreichen?

Unsere SiC-Substrate sind je nach Wafergröße mit unterschiedlichen Micropipe Density (MPD)-Qualitäten erhältlich. Für ausgewählte 4H-SiC-Substrate kann MPD bis zu ≤0,1 cm⁻² sein, während 6" und 8" Produkte mit Spezifikationen erhältlich sind, die auf Ihre Qualität und Anwendung zugeschnitten sind.

Bieten Sie SiC-Waferverarbeitungsdienste an?

Ja. Über nackte Substrate hinaus unterstützen wir eine wertschöpfende Verarbeitung wie Würfeln, Mahlen, Verdünnen, CMP-Polieren, Backside-Metallisierung, Kristallbindung und Ionenimplantation entsprechend den Projektanforderungen.

Technische Untersuchung

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