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Der Export dieses Produkts wird vom Handelsministerium der VR China (MOFCOM) reguliert. Vor dem Versand muss eine Exportlizenz eingeholt werden.
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Halb-isolierende GaAs-Substrate werden in der Hochfrequenzbauelementfertigung weit verbreitet eingesetzt, darunter MMICs, pHEMTs, HEMTs und HBTs. Sie eignen sich für HF-Frontends, Mikrowellenverstärker, drahtlose Kommunikation und verwandte Anwendungen.
GaAs-Substrate werden für das epitaktische Wachstum von III-V optoelektronischen Strukturen verwendet, einschließlich AlGaAs- und InGaAs-basierter Gerätesysteme. Anwendungsbereiche umfassen VCSELs, Laserdioden, Infrarot-Emitter und optische Sensorgeräte.
GaAs ist ein wichtiges III-V-Halbleitermaterial für hocheffiziente Photovoltaikgeräte, einschließlich Weltraum-Solarzellen und Konzentrator-Photovoltaiksystemen. Substratanforderungen hängen von der Zellarchitektur und dem Herstellungsprozess ab.
GaAs-Substrate unterstützen das Wachstum von III-V-Epitaxialstrukturen für ausgewählte LED- und optoelektronische Anwendungen, einschließlich roter und infraroter Emitter.
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
Leitfähige GaAs-Wafer, einschließlich N- und P-Typ-Materialien, werden in Bausteinstrukturen verwendet, die eine spezifische elektrische Leitfähigkeit erfordern. Halbisolierende GaAs-Wafer bieten einen hohen elektrischen Widerstand und werden häufig in der HF- und Mikrowellenbauweise verwendet. Der geeignete Typ hängt von der Gerätearchitektur und den Prozessanforderungen ab.
Halbisolierende GaAs werden häufig für MMICs, pHEMTs und andere HF- oder Mikrowellengeräte in Betracht gezogen. Der erforderliche Widerstand, die Kristallorientierung, die Oberflächenoberfläche und weitere Parameter sollten entsprechend dem Bausteindesign angegeben werden.
GaAs-Substrate werden häufig für das epitaktische Wachstum von VCSEL- und Laserdiodenstrukturen eingesetzt. Der erforderliche Leitfähigkeitstyp, die Ausrichtung, die Oberflächenoberfläche und andere Spezifikationen hängen vom epitaxischen Design und der Bauelementarchitektur ab.
Ausgewählte Waferdurchmesser umfassen 2", 3", 4" und 6". Kristallorientierung, Leitfähigkeitstyp, Widerstand, Oberflächenfinish und weitere Parameter unterliegen der verfügbaren Materialspezifikation. Kontaktieren Sie PWG, um die Anforderungen für Ihr Projekt zu bestätigen.
Indiumphosphid (InP) Wafer ist ein hochmobiler, direkter Bandlücke (1,34 eV) III-V-Verbindungshalbleiter. Optimiert für Hochfrequenz-RF (bis THz), 1,3–1,55μm optische Kommunikation und rauscharme photonische integrierte Schaltkreise (PICs). Mit flachen EPD- und epi-fähigen Oberflächenoberflächen.
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Die Power Wafertech Group liefert Indiumarsenid-(InAs)-Substratwafer für Infrarotdetektion, Hochmobilelektronik und fortschrittliche III-V-Halbleiterforschung. Verfügbare Optionen umfassen N-Typ und P-Typ InAs, mit ausgewählten Waferdurchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen für die Bauteilfertigung und epitaxisches Wachstum.
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GaSb (Galliumantimonid) ist das bevorzugte Substrat für eine antimonidbasierte Epitaxie. Mit einer Gitterkonstante von 6,096 Å für eine ausgezeichnete InAs/AlSb-Kompatibilität wird es häufig für Typ-II-Superlattice-(T2SL)-IR-Detektoren und Mid-IR-Laser eingesetzt. Erhältlich in den Größen 2", 3" und 4" mit Epi-Ready-Oberflächenoberflächen.
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InSb (Indiumantimonid) Wafer ist für MWIR-Infrarotdetektoren und magnetoresistive Bauelemente erhältlich. N-Typ- und P-Typ-Optionen mit epi-reifen Oberflächen sind verfügbar, um spezifische Anforderungen an die Baustelle von Geräten und das epitaxische Wachstum zu unterstützen.
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Nr. 1389, Lianmei Road, Lianhua Industriezone, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
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