III-V-Compound-Wafer

GaAs-Wafer

Galliumarsenid (GaAs) kombiniert eine direkte Bandlücke mit hoher Elektronenmobilität und ist damit ein weit verbreitetes Substratmaterial für MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, Laserdioden, LEDs und hocheffiziente Solarzellen. GaAs-Wafer sind in mehreren Durchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen erhältlich.

Größe — 2", 3", 4" und 6"
Ausrichtung — (100), (111)A und (111)B
Leitungstyp — N-Typ (Si-dotiert), P-Typ (Zn-dotiert) und halb-isolierend (C-dotiert)
Oberflächenbeschichtung — SSP oder DSP, epi-bereit
Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

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Parameter	50,8 mm (2" (50,8 mm) GaAs-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Si
Ausrichtung	(100), (111)A, (111)B
Widerstand	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Mobilität	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	76,2 mm (3" (76,2 mm) GaAs Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Si
Ausrichtung	(100), (111)A, (111)B
Widerstand	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Mobilität	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	4" (100 mm) GaAs-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Si
Ausrichtung	(100), (111)A, (111)B
Widerstand	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Mobilität	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	6" (150 mm) GaAs-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Si
Ausrichtung	(100), (111)A, (111)B
Widerstand	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Mobilität	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

RF & Mikrowelle

Halbisolierende GaAs-Wafer bieten elektrische Isolation und geringe parasitäre Effekte bei der Herstellung von Hochfrequenzgeräten. Typische Geräte: MMICs, HEMTs, pHEMTs, HBTs, Low-Noise-Verstärker, HF-Leistungsverstärker. Typische Anwendungen: 5G / 6G Kommunikation, Drahtlose Infrastruktur, Satellitenkommunikation, Radar, RF-Instrumentierung.

VCSELs und Laserdioden

Leitfähige GaAs-Wafer werden weit verbreitet als Substrate für III-V optoelektronische Strukturen auf Basis von AlGaAs, InGaAs und verwandten Materialien verwendet. Typische Geräte: VCSELs, Laserdioden, Infrarot-LEDs, optische Messgeräte,

Photovoltaik

GaAs bietet eine hohe optoelektronische Umwandlungsleistung und wird in hocheffizienten Photovoltaikgeräten eingesetzt. Typische Anwendungen: Weltraum-Solarzellen Hocheffiziente Solarzellen Konzentrierte Photovoltaik

LED & Optoelektronik

GaAs-Substrate unterstützen das Wachstum von III-V-Epitaxialstrukturen für rote, infrarote und andere optoelektronische Bauelemente.

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Was ist der Unterschied zwischen leitfähigen und halbisolierenden GaAs?

Leitfähiges GaAs wird häufig eingesetzt, wenn elektrische Strominjektion erforderlich ist, wie beispielsweise bei optoelektronischen Bauelementen. Halbisolierende GaAs bieten einen hohen elektrischen Widerstand und werden häufig für HF- und Mikrowellenbauelemente eingesetzt.

Welcher GaAs-Wafer eignet sich für RF-Anwendungen?

C-dotiertes halbisolierendes GaAs wird häufig für MMICs, HEMTs, pHEMTs, HBTs und andere Hochfrequenzbauelemente ausgewählt.

Welcher GaAs-Wafer eignet sich für VCSELs?

Leitfähige GaAs-Wafer werden häufig als Substrate für VCSEL- und Laserdioden-Epitaksie verwendet, wobei der genaue Leitfähigkeitstyp von der Bausteinstruktur abhängt.

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