III-V-Compound-Wafer

InSb-Wafer

Mit einer ultraschmalen direkten Bandlücke von etwa 0,17 eV bei 300 K und außergewöhnlich hoher Elektronenbeweglichkeit eignet sich InSb besonders gut für die Erkennung von Infrarot mittelwelliger Länge (MWIR) im Bereich von 3–5 μm. PWG liefert N-Typ- und P-Typ-Indium-Antimonid-(InSb)-Wafer für hochempfindliche Infraroterkennung, magnetische Erkennung und kryogene Elektronik.

Größe — 2" und 3"
Ausrichtung — (100), (111)
Leitungstyp — N-Typ (Te-dotiert) und P-Typ (Ge-dotiert)
Oberflächenfinish — SSP oder DSP, epi-bereit
Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

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Parameter	2" (50,8 mm) InSb-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Te
Ausrichtung	(100) / (111)
Dicke	625±25 mm
Ladungsträgerkonzentration	2,5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	76,2 mm (3" (76,2 mm) InSb-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Te
Ausrichtung	(100) / (111)
Dicke	800/900±25 mm
Ladungsträgerkonzentration	2,5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	4" (100 mm) InSb-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Te
Ausrichtung	(100) / (111)
Dicke	1000±25 mm
Ladungsträgerkonzentration	2,5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

MWIR-Infraroterkennung

InSb eignet sich besonders gut für die Infrarotdetektion mittlerer Wellenlänge um 3–5 μm und ist damit eine etablierte Materialplattform für hochempfindliche gekühlte Infrarotdetektoren. Typische Geräte: MWIR-Photodetektoren, Infrarot-Fokalebenenarrays (FPAs), Infrarotbilddetektoren, Gasdetektionssensoren, Spektroskopiedetektoren. Typische Anwendungen: Wärmebildbildung, Infrarotüberwachung, Gasanalyse, Industrielle Überwachung, wissenschaftliche Instrumentierung. Empfohlenes Substrat: N-Typ oder P-Typ InSb entsprechend der Detektorstruktur.

Magnetsensoren

Die hohe Elektronenmobilität und die starke magnetoresistive Antwort von InSb machen es für empfindliche magnetische Sensorgeräte geeignet. Typische Bauelemente: Hall-Sensoren Magnetoresistive Sensoren Magnetfelddetektoren Empfohlenes Substrat: N-Typ InSb wird häufig für hochmobile Hall- und magnetische Sensoranwendungen bevorzugt.

Kryogene und Hochmobilitätselektronik

Die hohe Elektronenmobilität und die schmale Bandlücke von InSb machen es für fortgeschrittene elektronische Forschung besonders unter niedrigen Betriebsbedingungen nützlich. Typische Anwendungen: Kryogene Elektronik Hochmobile Transistorforschung Niedertemperatur-Halbleiterbauelemente Fortschrittliche III-V-Elektronikforschung

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Für welchen Wellenlängenbereich wird InSb verwendet?

InSb wird häufig für die MWIR-Detektion im atmosphärischen Fenster von etwa 3–5 μm eingesetzt, insbesondere in gekühlten Infrarotdetektorsystemen.

Welcher InSb-Wafer wird für MWIR-Detektoren empfohlen?

Sowohl N-Typ als auch P-Typ InSb können je nach Detektorarchitektur und epitaxischen oder Geräteanforderungen verwendet werden.

Welcher InSb-Wafer eignet sich für Hall-Sensoren?

N-Typ InSb wird häufig für Hall-Sensoren und andere hochmobile magnetische Sensorgeräte ausgewählt.

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