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InSb-Substrate mit EPD
InSb-Substrate mit EPD
InSb-Substrate mit EPD
Mit einer schmalen Bandlücke von etwa 0,17 eV bei 300 K ist InSb ideal für die MWIR-Detektion im Bereich von 3–5 μm. Typische Anwendungen sind gekühlte Infrarotdetektoren, Fokalebenenarrays (FPAs), Wärmebildbildung und Gassensoren.
Der InSb-Wafer vereint hohe Elektronenmobilität mit starken magnetoresistiven Eigenschaften und eignet sich damit für empfindliche magnetische Sensoren. Anwendungen umfassen Hall-Effekt-Sensoren, Magnetfelddetektoren sowie Positions- oder Strommessgeräte.
Die schmale Bandlücke und die außergewöhnlich hohe Elektronenmobilität von InSb machen es attraktiv für die fortgeschrittene Halbleiterforschung. Anwendungen umfassen hochmobile Transistoren, kryogene Elektronik und die Entwicklung von Niedertemperatur-III–V-Geräten.
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InSb wird häufig für die MWIR-Detektion im atmosphärischen Fenster von etwa 3–5 μm eingesetzt, insbesondere in gekühlten Infrarotdetektorsystemen.
Sowohl N-Typ als auch P-Typ InSb können je nach Detektorarchitektur und epitaxischen oder Geräteanforderungen verwendet werden.
Der N-Typ InSb wird aufgrund seiner außergewöhnlichen Elektronenmobilität häufig für Hall-Sensoren und andere hochmobile magnetische Messgeräte ausgewählt.
Indiumphosphid (InP) Wafer ist ein hochmobiler, direkter Bandlücke (1,34 eV) III-V-Verbindungshalbleiter. Optimiert für Hochfrequenz-RF (bis THz), 1,3–1,55μm optische Kommunikation und rauscharme photonische integrierte Schaltkreise (PICs). Mit flachen EPD- und epi-fähigen Oberflächenoberflächen.
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Galliumarsenid (GaAs) kombiniert eine direkte Bandlücke mit hoher Elektronenmobilität und ist damit ein weit verbreitetes Substratmaterial für Hochfrequenz- und optoelektronische Bauelemente. Die GaAs-Wafer von PWG unterstützen MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, Laserdioden und hocheffiziente Solarzellen, die in mehreren Durchmessern, Kristallorientierungen und Epi-kompatiblen Oberflächenoberflächen erhältlich sind.
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Die Power Wafertech Group liefert Indiumarsenid-(InAs)-Substratwafer für Infrarotdetektion, Hochmobilelektronik und fortschrittliche III-V-Halbleiterforschung. Verfügbare Optionen umfassen N-Typ und P-Typ InAs, mit ausgewählten Waferdurchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen für die Bauteilfertigung und epitaxisches Wachstum.
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GaSb (Galliumantimonid) ist das bevorzugte Substrat für eine antimonidbasierte Epitaxie. Mit einer Gitterkonstante von 6,096 Å für eine ausgezeichnete InAs/AlSb-Kompatibilität wird es häufig für Typ-II-Superlattice-(T2SL)-IR-Detektoren und Mid-IR-Laser eingesetzt. Erhältlich in den Größen 2", 3" und 4" mit Epi-Ready-Oberflächenoberflächen.
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