Select a wafer type to view detailed specs
Der Export dieses Produkts wird vom Handelsministerium der VR China (MOFCOM) reguliert. Vor dem Versand muss eine Exportlizenz eingeholt werden.
Der Export dieses Produkts wird vom Handelsministerium der VR China (MOFCOM) reguliert. Vor dem Versand muss eine Exportlizenz eingeholt werden.
Der Export dieses Produkts wird vom Handelsministerium der VR China (MOFCOM) reguliert. Vor dem Versand muss eine Exportlizenz eingeholt werden.
GaSb bietet eine gitterangepasste Plattform für InAs/GaSb Typ-II-Supergitter (T2SL), die Bandgap-Engineering über ein breites Infrarotspektrum hinweg ermöglicht. Typische Geräte: T2SL-Detektoren, MWIR/LWIR/VLWIR-Detektoren, Infrarot-Fokalebenen-Arrays (FPAs). Anwendungen: Wärmebildgebung, Gasdetektion, Spektroskopie, Verteidigung und Luft- und Raumfahrt.
Essenzielles Substrat für antimonidbasierte Mid-IR-Laser und photonische Strukturen. Typische Bauelemente: Mid-IR-Laserdioden, IR-LEDs, antimonidbasierte photonische Bauelemente, Quantenbrunnen und Supergitterstrukturen. Anwendungen: Gassensorik, Umweltüberwachung, medizinische Diagnostik, molekulare Spektroskopie.
Die enge Bandlücke von GaSb macht es ideal für TPV-Zellen, die thermische Strahlung in elektrische Energie umwandeln. Anwendungen: Rückgewinnung von Abwärme, industrielle Energiegewinnung, Umwandlung von Thermik zu Strom, Radioisotopen-Stromsysteme.
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
GaSb bietet eine perfekt gitterangepasste Plattform für InAs/GaSb und verwandte Typ-II-Supergitterstrukturen. Dies ermöglicht ein spannungsfreies epitaxisches Wachstum und präzise Bandlückentechnik für die Infraroterkennung über die Spektralbereiche von MWIR, LWIR und VLWIR.
Sowohl N-Typ- als auch P-Typ-GaSb-Substrate können für T2SL-Detektoren verwendet werden. N-Typ GaSb wird typischerweise ausgewählt, wenn für die Bauteilfertigung ein elektrisch leitfähiges Substrat benötigt wird. P-Typ-GaSb wird häufig für spezifische Detektorarchitekturen verwendet.
Ja. PWG ist F&E-freundlich für Prototyping. Wir unterstützen eine schnelle Anpassung von Ausrichtungen, Doping und Größen, um Ihren Geräteanforderungen gerecht zu werden.
Indiumphosphid (InP) Wafer ist ein hochmobiler, direkter Bandlücke (1,34 eV) III-V-Verbindungshalbleiter. Optimiert für Hochfrequenz-RF (bis THz), 1,3–1,55μm optische Kommunikation und rauscharme photonische integrierte Schaltkreise (PICs). Mit flachen EPD- und epi-fähigen Oberflächenoberflächen.
Details anzeigen
Galliumarsenid (GaAs) kombiniert eine direkte Bandlücke mit hoher Elektronenmobilität und ist damit ein weit verbreitetes Substratmaterial für Hochfrequenz- und optoelektronische Bauelemente. Die GaAs-Wafer von PWG unterstützen MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, Laserdioden und hocheffiziente Solarzellen, die in mehreren Durchmessern, Kristallorientierungen und Epi-kompatiblen Oberflächenoberflächen erhältlich sind.
Details anzeigen
Die Power Wafertech Group liefert Indiumarsenid-(InAs)-Substratwafer für Infrarotdetektion, Hochmobilelektronik und fortschrittliche III-V-Halbleiterforschung. Verfügbare Optionen umfassen N-Typ und P-Typ InAs, mit ausgewählten Waferdurchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen für die Bauteilfertigung und epitaxisches Wachstum.
Details anzeigen
InSb (Indiumantimonid) Wafer ist für MWIR-Infrarotdetektoren und magnetoresistive Bauelemente erhältlich. N-Typ- und P-Typ-Optionen mit epi-reifen Oberflächen sind verfügbar, um spezifische Anforderungen an die Baustelle von Geräten und das epitaxische Wachstum zu unterstützen.
Details anzeigenTechnische Untersuchung
Teilen Sie Ihr Material, Ihre Maße, Spezifikationen, Anwendungs- oder Projektphase. Unser Team wird Ihre Anforderungen prüfen und innerhalb eines Werktages antworten.
Ingenieursgesteuerte Reaktion
Anfragen werden an das zuständige technische oder kommerzielle Team weitergeleitet.
Adresse
Nr. 1389, Lianmei Road, Lianhua Industriezone, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, China
Telefon
