III-V-Compound-Wafer

GaSb Wafer

Mit einer Gitterkonstante von etwa 6,096 Å bietet GaSb (Galliumantimonid) eine ausgezeichnete Gitterkompatibilität mit antimonidbasierten Materialien wie InAs, AlSb und InAsSb und ist damit eine wichtige Substratplattform für Typ-II-Supergitter-(T2SL)-Infrarotdetektoren, Mid-IR-Laser und fortschrittliche optoelektronische Bauelemente. GaSb-Wafer sind in mehreren Durchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen für epitaxisches Wachstum und Gerätefertigung erhältlich.

Größe — 2", 3" und 4"
Ausrichtung — (100), (111)
Leitungstyp — N-Typ (Te-dotiert) und P-Typ (Zn-dotiert)
Oberflächenfinish — SSP oder DSP, epi-bereit
Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

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Parameter	2" (50,8 mm) GaSb-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Te
Ausrichtung	(100) / (111)
Dicke	500±25 mm
TTV
Bogen
Warp
Mobilität	2.000–3.500 cm²/V·s
Ladungsträgerkonzentration	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	76,2 mm (3" GaSb-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Te
Ausrichtung	(100) / (111)
Dicke	600±25 mm
TTV
Bogen
Warp
Mobilität	2.000–3.500 cm²/V·s
Ladungsträgerkonzentration	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	4" (100 mm) GaSb-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	Te
Ausrichtung	(100) / (111)
Dicke	800±25 mm
TTV
Bogen
Warp
Mobilität	2.000–3.500 cm²/V·s
Ladungsträgerkonzentration	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

Typ-II-Supergitter-Infrarotdetektoren

GaSb bietet eine geeignete Gitterplattform für InAs/GaSb und verwandte Typ-II-Supergitterstrukturen und ermöglicht Bandgap-Engineering über einen breiten Infrarotwellenlängenbereich. Typische Bauelemente: Typ-II-Superlattice (T2SL)-Detektoren, MWIR-Infrarotdetektoren, LWIR/VLWIR-Detektoren, Infrarot-Fokalebenenarrays (FPAs). Typische Anwendungen: Wärmebildbildung, Infrarotmessung, Gasdetektion, Spektroskopie, Verteidigung und Luft- und Raumfahrtbildgebung Empfohlenes Substrat: N-Typ oder P-Typ GaSb je nach Epitaxial- und Gerätestruktur.

Mittelinfrarot-Laser & Photonik

GaSb ist ein wichtiges Substratmaterial für antimonidbasierte mittelinfrarote Laser- und optoelektronische Strukturen. Typische Bauelemente: Mid-IR-Laserdioden, IR-LEDs Antimonid-basierte photonische Bauelemente, Quantenwellen- und Supergitterstrukturen Typische Anwendungen: Gassensorik Umweltüberwachung Medizinische Diagnostik Molekulare Spektroskopie Empfohlenes Substrat: N-Typ GaSb wird häufig ausgewählt, wenn für die Bauteilfertigung ein elektrisch leitfähiges Substrat benötigt wird.

Thermophotovoltaische Anwendungen

Die relativ enge Bandlücke von GaSb macht sie geeignet für thermophotovoltaische (TPV)-Zellen, die thermische Strahlung in elektrische Energie umwandeln sollen. Typische Anwendungen: Abwärmerückgewinnung, industrielle Energiegewinnung, thermische zu elektrische Energieumwandlung, Radioisotopen-Stromsysteme, empfohlenes Substrat: P-Typ GaSb für ausgewählte Photovoltaik-Gerätestrukturen.

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Warum wird GaSb für Typ-II-Supergitterdetektoren verwendet?

GaSb bietet eine geeignete Gitterplattform für InAs/GaSb und verwandte Typ-II-Supergitterstrukturen und ermöglicht so Infrarot-Bandlücken-Engineering durch Heterostrukturdesign.

Welcher GaSb-Wafer eignet sich für T2SL-Infrarotdetektoren?

Sowohl N-Typ als auch P-Typ GaSb können verwendet werden. Der geeignete Leitfähigkeitstyp hängt von der spezifischen T2SL-Epitaxial- und Gerätearchitektur ab.

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