01
Optische Kommunikation und Photonik
Anwendungen: DFB-Laser, EMLs, PIN-Photodioden, APDs für 1,3–1,55μm Glasfaserkommunikation. Empfohlene Spezifikation: N-Typ oder halbisolierend (Fe-dotiert) InP.
III-V-Compound-Wafer
InP-Wafer
Indiumphosphid (InP) Wafer ist ein hochmobiler, direkter Bandlücke (1,34 eV) III-V-Verbindungshalbleiter. Optimiert für Hochfrequenz-RF (bis THz), 1,3–1,55μm optische Kommunikation und rauscharme photonische integrierte Schaltkreise (PICs). Mit flachen EPD- und epi-fähigen Oberflächenoberflächen.
- Größe — 2", 3", 4", 6”
- Ausrichtung — (100), (111)
- Leitungstyp — N-Typ (S-dotiert), P-Typ (Zn-dotiert) und Halb-Isolierend (Fe-dotiert)
- Oberflächenbeschichtung — SSP oder DSP, epi-bereit
- EPD — ≤ 500cm⁻²
- Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt
Detaillierte Spezifikationen
Spezifikationen nach Wafer-Typ.
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Exportkontrollmitteilung
Der Export dieses Produkts wird vom Handelsministerium der VR China (MOFCOM) reguliert. Vor dem Versand muss eine Exportlizenz eingeholt werden. Bitte kontaktieren Sie unser Compliance-Team für weitere Informationen.
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Anwendungen
Wo dieser Wafer Wert liefert
02
Hochgeschwindigkeits- und RF-Elektronik
Anwendungen: HBTs, HEMTs, HEMT MMICs, THz-Detektoren und Quellen. Empfohlene Spezifikation: Halb-isolierendes InP für RF/MMIC; Leitende InP für HBT/Hemt.
03
Photonische Integrierte Schaltkreise (PICs)
Anwendungen: Optische Transceiver, Rechenzentrumsverbindungen, kohärente Kommunikation. Empfohlene Spezifikation: Halbisolierend oder N-Typ InP, basierend auf der Gerätearchitektur.
FAQ
Häufige Fragen zu diesem Produkt
Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.
N-Typ (S-dotiert) und P-Typ (Zn-dotiert) sind leitfähige Substrate für optoelektronische und elektronische Bauelemente. Halbisolierendes (Fe-dotiertes) InP zeichnet sich durch einen hohen Widerstand aus und ist ideal für HF-, Mikrowellen- und Hochfrequenzanwendungen.
Für 1,3–1,55μm DFB-Laser, EMLs und Photodetektoren empfehlen wir N-Typ oder halb-isolierende (Fe-dotierte) InP-Wafer, abhängig von der spezifischen epitaxischen Struktur und dem Bauelementdesign.
Halb-isolierendes (Fe-dotiertes) InP wird hauptsächlich für RF-, Mikrowellen- und THz-Bauelemente ausgewählt, da es einen hohen Widerstand und seine hervorragende elektrische Isolierung hat.
Ja. Wir unterstützen F&E-Prototyping sowie Kleinchargenbestellungen. Individuelle Orientierungen, Doping- und Epi-Ready-Spezifikationen sind auf Anfrage erhältlich.
Wafer werden in vakuumversiegelten Einzelwafer-Kassetten in einem ISO-zertifizierten Reinraum verpackt. Wir sorgen für eine Fab-fertige Lieferung mit Tür-zu-Tür-Versand.
GaAs-Wafer
Galliumarsenid (GaAs) kombiniert eine direkte Bandlücke mit hoher Elektronenmobilität und ist damit ein weit verbreitetes Substratmaterial für Hochfrequenz- und optoelektronische Bauelemente. Die GaAs-Wafer von PWG unterstützen MMICs, HEMTs, HBTs, VCSELs, Laserdioden und hocheffiziente Solarzellen, die in mehreren Durchmessern, Kristallorientierungen und Epi-kompatiblen Oberflächenoberflächen erhältlich sind.
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InAs Wafer
Die Power Wafertech Group liefert Indiumarsenid-(InAs)-Substratwafer für Infrarotdetektion, Hochmobilelektronik und fortschrittliche III-V-Halbleiterforschung. Verfügbare Optionen umfassen N-Typ und P-Typ InAs, mit ausgewählten Waferdurchmessern, Kristallorientierungen und Oberflächenoberflächen für die Bauteilfertigung und epitaxisches Wachstum.
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GaSb Wafer
GaSb (Galliumantimonid) ist das bevorzugte Substrat für eine antimonidbasierte Epitaxie. Mit einer Gitterkonstante von 6,096 Å für eine ausgezeichnete InAs/AlSb-Kompatibilität wird es häufig für Typ-II-Superlattice-(T2SL)-IR-Detektoren und Mid-IR-Laser eingesetzt. Erhältlich in den Größen 2", 3" und 4" mit Epi-Ready-Oberflächenoberflächen.
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InSb-Wafer
InSb (Indiumantimonid) Wafer ist für MWIR-Infrarotdetektoren und magnetoresistive Bauelemente erhältlich. N-Typ- und P-Typ-Optionen mit epi-reifen Oberflächen sind verfügbar, um spezifische Anforderungen an die Baustelle von Geräten und das epitaxische Wachstum zu unterstützen.
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