III-V-Compound-Wafer

InP-Wafer

Indiumphosphid (InP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter mit einer direkten Bandlücke (1,34 eV bei 300K) und einer höheren Elektronenmobilität als GaAs. Sie bietet eine überlegene Leistung in drei Schlüsselbereichen: Hochfrequenz-HF (bis zum THz-Bereich), langwellige Optoelektronik (1,3–1,55 μm) und photonische integrierte Schaltkreise mit niedrigem Phasenrausch.

Größe — Erhältlich in 2", 3", 4" und 6"
Ausrichtung — (100), (111)
Leitungstyp — N-Typ (S-dotiert), P-Typ (Zn-dotiert) und Halb-Isolierend (Fe-dotiert)
Oberflächenbeschichtung — SSP oder DSP, epi-bereit
Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt
Lieferung — Tür zu Tür, kurze Vorlaufzeit

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

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Parameter	2"/50,8 mm InP-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	S
Ausrichtung	(100) / (111)
Leitfähigkeit	N-Typ
Dicke	350±25 mm
TTV
Bogen
Warp
EPD	≤500cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	3" / 76,2 mm InP Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	S
Ausrichtung	(100) / (111)
Leitfähigkeit	N-Typ
Dicke	600±25 mm
TTV
Bogen
Warp
EPD	≤500cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	4" / 100 mm InP Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	S
Ausrichtung	(100) / (111)
Leitfähigkeit	N-Typ
Dicke	600±25 mm
TTV
Bogen
Warp
EPD	≤500cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Parameter	6" / 150 mm InP-Substrat
Leitungstyp	N-Typ
Dopant	S
Ausrichtung	(100) / (111)
Leitfähigkeit	N-Typ
Dicke	675±25 mm
TTV
Bogen	≤15 mm
Warp	≤15 mm
EPD	≤500cm⁻²
Oberflächenfinish	SSP / DSP, epi-bereit
Flach	SEMI-Standard
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

Optische Kommunikation und Photonik

InP-Wafer werden häufig für langwellige optoelektronische Bauelemente verwendet, die um die Glasfaserfenster von 1,3 μm und 1,55 μm arbeiten. Typische Bauelemente: DFB-Laserdioden, EML-Laser, PIN-Photodioden, APDs, photonische integrierte Schaltkreise, AWG-Bauelemente, empfohlene Wafers: N-Typ / P-Typ / Halb-isolierender InP, abhängig von der Bausteinstruktur.

Hochgeschwindigkeits- und RF-Elektronik

InP bietet eine hohe Elektronentransportleistung und wird häufig für Hochgeschwindigkeits-Elektronik- und HF-Bauelemente eingesetzt, einschließlich hochfrequenter MMICs und fortschrittlicher Halbleiterforschung. Typische Geräte: HBTs, HEMTs, Hochfrequenz-MMICs, Frequenzmultiplikatoren, Terahertz-Detektoren, Hochgeschwindigkeitselektronikgeräte, empfohlene Wafer: Halbisolierendes InP für RF/MMIC-Anwendungen; leitfähiges InP für ausgewählte HBT- und elektronische Strukturen.

Photonische Integrierte Schaltkreise

InP ist eine wichtige Plattform für integrierte Photonik, da sie sowohl aktive optische Geräte als auch photonische Integration unterstützt. Typische Anwendungen: Optische Transceiver, Rechenzentrumsverbindungen, Kohärente Kommunikation, Glasfaserkommunikation, photonische integrierte Schaltkreise, Hochgeschwindigkeits-Optikmodule, empfohlene Wafer: N-Typ, P-Typ oder halb-isolierend, je nach Epi- und Bauelementarchitektur.

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Was ist der Unterschied zwischen N-Typ-, P-Typ- und halb-isolierenden InP-Wafern?

N-Typ- und P-Typ-InP-Wafer sind leitfähige Substrate, die häufig für optoelektronische und elektronische Bauelemente verwendet werden. Halb-isolierendes InP, typischerweise Fe-dotiert, eignet sich besonders für HF-, Mikrowellen- und Hochfrequenzanwendungen.

Welcher InP-Wafer eignet sich für optische Kommunikationsgeräte?

Der geeignete Leitfähigkeitstyp hängt vom Gerät und der epitaxischen Struktur ab. N-Typ, P-Typ und halbisolierendes InP können alle für verschiedene optische Kommunikationsarchitekturen verwendet werden.

Welcher InP-Wafer wird für HF- und Hochfrequenzanwendungen empfohlen?

Halb-isolierendes Fe-dotiertes InP wird aufgrund seiner hohen Resistivität und elektrischen Isolation häufig für HF-, Mikrowellen- und Hochfrequenzbauelemente ausgewählt.

Kannst du InP-Wafer für F&E- und Kleinprojekte bereitstellen?

Ja. Wir unterstützen Forschungs-, Prototypen- und Kleinchargen-Anforderungen, vorbehaltlich der geforderten Wafer-Spezifikationen und -mengen.

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