Siliziumdioxid-Wafer | Power Wafertech Group

Siliziumdioxid-Wafer

Die Power Wafertech Group liefert Siliziumdioxid-Wafer (SiO₂ on Si), die durch kontrollierte thermische Oxidation von Siliziumsubstraten hergestellt werden. Sowohl trockene thermische als auch feuchte thermische Oxidation sind für unterschiedliche Oxiddicken und Prozessanforderungen erhältlich. Unsere SiO₂-Wafer zeichnen sich durch kontrollierte Oxiddicke, gute Wafer-Level-Gleichmäßigkeit und epi-/prozessbereite Oberflächen aus.

Größe — 6”, 8”, 12”
Typ — Trockenoxidation, Nassoxidation
Trockenoxiddicke — typischerweise 15–300 nm
Nassoxiddicke — typischerweise 500 nm–2 μm
Oxidierte Oberfläche — Einseitige oder doppelseitige Oxidation
Verpackung — Einzel- oder Multiwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parameter	Trockene thermische Oxidation	Nass-thermische Oxidation
Substratorientierung	(100), (110), (111)	(100), (110), (111)
Substrattyp	N-Typ / P-Typ	N-Typ / P-Typ
Oxidationsmethode	Trockene O₂-Oxidation	H₂O-Dampfoxidation
Oxidierte Oberfläche	Einseitig / Doppelseite	Einseitig / Doppelseite
Typische Oxiddicke	15~300 nm, Anpassbar	500nm~2μm, Anpassbar
Dichte (g/cm³)	2.24 – 2.27	2.18 – 2.21
Brechungsindex (λ=546nm)	1.460 – 1.466	1.435 – 1.458
Dielektrische Konstante	3,4 (bei 10 kHz)	3,82 (bei 1 MHz)
Dielektrische Festigkeit (×10⁶ V/cm)	9	Nicht spezifiziert

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

MOS & Gate-Dielektrika

Dünne, trockene thermische SiO₂-Schichten können als Gate-Dielektrikum- oder Isolierschichten in MOS-basierten Bauelementenstrukturen verwendet werden. MOSFETs MOS-Kondensatoren Analoge Bauelemente Sensorbauelemente Halbleiter-Forschung & Entwicklung

Elektrische Isolierung

Dickere SiO₂-Schichten bieten elektrische Isolierung zwischen Gerätestrukturen und können für Isolierungsprozesse verwendet werden. Leistungs-ICs, Hochspannungsbauelemente, HF-Bauelemente, Geräteisolationsstrukturen,

MEMS & Sensoren

Thermische Oxidschichten können in der MEMS-Herstellung als Isolierung, Maskierung oder Opferschichten dienen. MEMS-Sensoren Drucksensoren Mikrostrukturen Silizium-Mikrobearbeitung

Diffusions- und Prozessmaskierung

SiO₂ bietet eine nützliche Maskierungsschicht für ausgewählte Halbleiterverarbeitungsschritte. Dopantdiffusion Ionenimplantationsprozesse Ätzprozesse Gerätefertigung

Passivierung und Oberflächenschutz

Thermisches Oxid kann auch als Schutz- und Isolierschicht in siliziumbasierten Bauelementstrukturen verwendet werden.

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Was ist ein Siliziumoxid-Wafer?

Ein Siliziumoxidwafer ist ein Siliziumsubstrat mit einer kontrollierten SiO₂-Schicht, die thermisch auf seiner Oberfläche gewachsen ist. Es wird häufig für Isolierung, Passivierung, Maskierung und Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet.

Was ist der Unterschied zwischen trockener und feuchter Oxidation?

Trockenoxidation erzeugt ein dichtes, hochwertiges Oxid und wird im Allgemeinen für dünne Oxidschichten bevorzugt. Nassoxidation hat eine höhere Wachstumsrate und wird typischerweise für dickere SiO₂-Schichten verwendet.

Unterstützen Sie F&E-Mengen?

Ja. Wir unterstützen Forschung, Prototypen- und Kleinserienbestellungen sowie Produktionsanforderungen.

Welche Informationen werden für ein Angebot benötigt?

Bitte geben Sie Wafergröße, Ausrichtung, Dopingtyp, Widerstand, SiO₂-Dicke, Oxidationsmethode, Oxidationsseite und Menge an.

Technische Untersuchung

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