Eine äußerst vielseitige AlN-on-Si-Vorlagenplattform. Die hochwertige AlN-Schicht unterstützt eine Vielzahl von Anwendungen, darunter GaN-Leistungs-/RF-Epitaxie, piezoelektrische MEMS (SAW/BAW-Filter) und fortschrittliche photonische Bauelemente, was eine nahtlose Integration mit ausgereiften Siliziumfertigungsprozessen ermöglicht.

AlN auf Saphir-Vorlagen verfügen über hochwertige AlN-Filme von hoher Kristallqualität mit niedriger Defektdichte, ausgezeichneter thermischer Stabilität und starken piezoelektrischen Eigenschaften. Sie sind ideal für Tiefen-UV-LEDs, Strom-/RF-Geräte, SAW-Filter und integrierte Photonik.

Einkristallige Siliziumwafer, die für die Herstellung von Halbleiterbauelementen, MEMS und epitaxiales Wachstum entwickelt wurden. Erhältlich in Prime- und Testqualität, mit ausgezeichneter Ebeneheit, geringer Fehlerdichte und anpassbaren Oberflächenoberflächen, die genau Ihren Prozessanforderungen entsprechen.

Hochwertige Si-Epi-Wafer, die mit CVD gezüchtet wurden, verfügen über präzise Dicke, Dopingprofil und Widerstandskontrolle. Konstruiert mit niedriger Defektdichte und ausgezeichneter Dickengleichmäßigkeit für fortschrittliche CMOS, diskrete Leistungsbauelemente und Sensorfertigung.

Hochqualitative Siliziumdioxid-Wafer (SiO2-on-Si-Wafer), die durch präzise thermische Oxidation hergestellt werden. Mit ausgezeichneter Wafer-Dicke-Gleichmäßigkeit, niedriger Defektdichte und prozessreifen Oberflächen für Halbleiterdämmung, Gate-Oxide und MEMS-Fertigung.