Silizium-Epitaktik-Wafer | Power Wafertech Group

Silizium-Epitaxialwafer

Die Power Wafertech Group liefert Silizium-Epitaktik-Wafer (Si-Epi-Wafer), die durch eine fortschrittliche CVD-Epitaksie gezüchtet werden. Präzise gesteuerte Silizium-Epitaktikschichten werden auf leitfähige Substrate aufgebracht, um die erforderliche Dicke, das Dosierungsprofil und den Widerstand für die Herstellung von Halbleiterbauelementen zu erreichen.

Größe — 4", 6", 8" und 12"
Methode — CVD
Epi-Struktur — N/N⁺, P/P⁺, P/N-Strukturen
Epi-Dicke — 0,5–150 μm
Epiresistivität — 0,1–1000 Ω·cm
Substrat — N⁺, P⁺ und Substrate mit hohem Widerstand
Verpackung — Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

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Detaillierte Spezifikationen

Veröffentlichte Spezifikationen nach Waferdurchmesser.

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Parameter	Spezifikation
Waferdurchmesser	4", 6", 8", 12"
Wachstumsmethode	CVD
Substrattyp	N⁺ (Sb/As), P⁺ (B), Si mit hohem Widerstand
Kristallorientierung	(100), (111)
Epi-Dopingtyp	N-Typ (P), P-Typ (B)
Epi-Struktur	N/N⁺, P/P⁺, P/N, Multilayer / Customized
Epi-Resistivität	0,1–1000 Ω·cm
Epi-Dicke	0,5–150 μm
Dopingprofil	Angepasst
Verpackung	Einzelwafer-Kassette, vakuumversiegelt

Anwendungen

Wo dieser Wafer Wert liefert

Silizium-Epitaxie für Leistungsbauelemente

1) Leistungs-MOSFETs und IGBTs N/N⁺ Silizium-Epi-Wafer können mit kontrollierter Epi-Dicke und -resistivität konstruiert werden, um den Driftbereich von Hochspannungsgeräten zu bilden. Typische Anwendungen sind: Leistungs-MOSFETs, IGBTs, Leistungsmodule, Industrielle Motorantriebe, Leistungselektronik der Automobile. Die Epi-Schicht kann je nach Zieldurchschlagsspannung, Ein-Widerstand und Bausteinarchitektur angepasst werden. 2) Schottky- und JBS-Dioden Leicht dotierte Silizium-Epi-Schichten auf stark dotierten Substraten können verwendet werden, um den Kompromiss zwischen Durchschlagsspannung und Vorwärtsspannung zu optimieren. Typische Anwendungen: Schottky-Dioden JBS-Dioden Leistungsgleichrichter

Silizium-Epi für HF- und Hochgeschwindigkeitsbauelemente

Hochohmige Siliziumsubstrate und kontrollierte epitaxiale Schichten können für HF- und Mikrowellenhalbleiterstrukturen verwendet werden, was hilft, unerwünschte parasitäre Effekte zu reduzieren. Typische Anwendungen sind: HF-Schalter, Niedrigrauschverstärker, VCOs, Hochfrequenz-analoge Schaltungen, Mikrowellenbauelemente,

Silizium-Epi für bipolare Bauelemente

Angepasste P/N-, N/P/N- oder P/N/P-Strukturen können für Anwendungen mit bipolaren Bauelementen entwickelt werden. Kontrollierte Epi-Dicke und Dopingprofile ermöglichen die Optimierung von: Kollektorstrukturen Basis-Kollektor-Isolation Durchschlagsmerkmale Hochfrequenzleistung Typische Anwendungen umfassen BJTs und Hochgeschwindigkeits-analoge Bauelemente.

Silizium-Epi für CMOS-Bildsensoren

P-Typ-Epitaxialsilizium auf stark dotierten Substraten kann für CMOS-Bildsensoranwendungen verwendet werden. Die epitaxiale Struktur kann helfen, substratbezogene elektrische Effekte und Unterstützung zu steuern: Niedriger Dunkelstrom Reduziertes Pixel-zu-Pixel-Übersprechen Verbesserte Bildgleichmäßigkeit Hochleistungsbildgebung bei wenig Licht

FAQ

Häufige Fragen zu diesem Produkt

Schnelle Antworten zur Materialauswahl, Anpassung, Prüfung und Bestellung.

Kannst du das Dopingprofil anpassen?

Ja. Epi-Dicke, Widerstand, Dotierungstyp, Dopingkonzentration und Mehrschichtstrukturen können individuell angepasst werden.

Unterstützen Sie kleine Chargen von F&E?

Ja. Wir unterstützen F&E, Prototypen- und Kleinserienanforderungen sowie Aufträge im Produktionsmaßstab.

Welche Informationen sind für ein Angebot erforderlich?

Bitte geben Sie Wafergröße, Ausrichtung, Substrattyp, Widerstand, Epi-Dicke, Epi-Doping, Struktur und Menge an.

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