Violette Laserdiode
Hochleistungs-GaN-basierte violette Laserdioden-Epiwafer, die geliefert werden, werden mit der MOCVD-Methode als Si-Substrat mit Mehrquantenbohrungen für niedrigen Schwellenstrom gezüchtet.
Die weltweiten Siliziumwafer-Auslieferungen erreichten im zweiten Quartal 2026 3.573 MSI, was einem Anstieg von 7,4 % im Jahresvergleich entspricht. Was die neuesten SEMI-Daten für Angebot, Vorlaufzeiten und Qualifikation bedeuten.
2026-09-01 14:20:29
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Hochleistungs-GaN-basierte violette Laserdioden-Epiwafer, die geliefert werden, werden mit der MOCVD-Methode als Si-Substrat mit Mehrquantenbohrungen für niedrigen Schwellenstrom gezüchtet.
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