Die GaN-Vorlage von PWG bezieht sich auf hochwertige GaN-Epitaktikschichten, die auf Saphir-, Silizium- oder SiC-Substraten gewachsen sind. Bereitstellung einer kosteneffizienten, epi-reifen Plattform für das spätere GaN-Wachstum und die fortschrittliche Gerätefertigung.

Die GaN-LED-Epitaxialwafer von PWG sind MOCVD-gezüchtete AlGaN/InGaN-Heterostrukturen, die für hocheffiziente UV-, blaue und grüne LEDs entwickelt wurden. Mit präzisen Multi-Quanten-Well-(MQW)-Strukturen liefern diese Epi-Wafer eine hohe interne Quanteneffizienz (IQE), gleichmäßige Emission und überlegene Zuverlässigkeit der Geräte.

Präzisionsgezüchtete AlGaN/GaN HEMT-Strukturen für Hochfrequenz-HF- und Hochleistungsschaltung. Mit fehlerarmen Puffern und hochdichten 2DEG-Kanälen für eine bessere Geräteleistung.